- 多站式顺序沉积工艺(MSSD)可灵活满足各种工艺要求
- 增强整个晶圆表面的薄膜均匀性
- 可重复的膜属性,具有出色的应力稳定性
- 高产量和高效晶圆处理设计带来高生产率
- 经过生产验证的低拥有成本解决方案,尺寸范围从 150 毫米到 300 毫米
- Concept Two® ALTUS® (200 毫米)
- Concept Two® SEQUEL® (200 毫米, 150 毫米)
- Concept Two® SPEED® (200 毫米)
- Pulsus™
- SPEED® Max (300 毫米)
- VECTOR® (300 毫米, 200 毫米)
- 化学气相沉积(CVD)钨
- 高密度等离子体(HDP)-CVD 填隙氧化物
- 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)硅烷氧化物、氮化物和氧氮化物
- PECVD TEOS 氧化物
- 脉冲激光沉积(PLD)
- 掺杂氧化物(硼磷)
Reliant 沉积产品
Products
Reliant 设备 化学气相沉积(CVD) 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 脉冲激光沉积(PLD) 高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)
沉积贯穿于整个芯片制造过程,在晶圆上铺设各种导电和绝缘材料,形成半导体器件的组件和导线。 对于微机电系统(MEMS)和功率器件等市场,众多的特征形状和不同的材料涉及进一步的制造要求。
泛林集团的 Reliant® 沉积产品系列实现了特色工艺的路线图,并延长了晶圆厂的生产设备利用年限。
Industry Challenges
近年来,半导体行业已扩展到功率芯片、CMOS 图像传感器(CIS)、射频(RF)滤波器和微机电系统(MEMS)等新的细分市场,从而实现了更强的连接性、更强大的成像功能以及其他大量市场驱动的性能。 由于其制造过程中的要求多种多样,沉积技术必须能够满足多种材料和性能需求。