Syndion Product Family
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Syndion製品ファミリー

業界の課題

ディープシリコンエッチングは、モバイル機器、スマートカー、パワーグリッドやエネルギー分野など、さまざまなアプリケーションを動かす高度なチップを製造するための重要なプロセスです。 シリコン貫通ビアやトレンチなど、より大きく、より高いアスペクト比の形状を形成するために使用されます。

  • シリコン貫通ビア(TSV)とは、ダイやウェーハを介して電気的な接続を行うための垂直方向の構造のことです。 異種混載を含めた高度なパッケージングを実現するための重要なソリューションであるTSVは、優れたプロファイル制御、高いウェーハ内均一性、そして高い生産性が求められます。
  • CMOS(相補型金属酸化膜半導体)イメージセンサーに使用されるディープトレンチ構造も同様の課題を抱えており、厳しいテーパー制御のもと、滑らかな側壁プロファイルが求められています。 深さの均一性、CDの均一性、マスクの選択性も必要です。
  • 大開口面積で高アスペクト比のトレンチ構造を持つ先端パワーデバイスでは、大量生産のための生産性向上だけでなく、ウェーハ上のプロファイルや均一性の制御にも課題があります。

このような構造を作るための一つの方法として、製造過程において、エッチングとデポジションの工程を素早く切り替えて、形状を削り、壁を保護するために材料を重ねる方法があります。 しかし、近年、アスペクト比がどんどん高くなっていること、新しい材料が次々と導入されていること、製造工程での寸法要求が厳しくなっていることなどから、このような状況はますます厳しくなってきています。

さらに、チップメーカーは、不要なスカラップ（エッチングとデポジションの工程を交互に繰り返すことで生じる形状）とエッチ速度との間で選択を迫られることがよくあります。 スカラップの大きさを小さくすることは可能ですが、コスト効率の良い製造に必要な生産性を犠牲することになります。

Syndionは、ソース、チャンバーハードウェア、プロセス能力を強化することで、ディープシリコンエッチアプリケーションをサポートするためにチップメーカーが必要とする精密なソリューションを提供します。

 

お客様の主なメリット

  • RAP（Rapidly Alternating Process）により、トレンチのアスペクト比に応じた正確な深さの均一性を実現
  • 高いエッチング速度、優れた再現性、TSV積層内の複数材料（シリコン、誘電体、導体膜）の同一装置内（in-situ）エッチングによる低コスト化。
  • ウェーハ全体にわたる優れたCD(Critical Dimension)均一性、深さの均一性、プロファイル制御により、パワートレンチデバイスの性能とウェーハ歩留まりの向上を実現
  • LamのRIEシステム全体から得られる知見を活用し、クラス最高の生産性と製造パフォーマンスを実現

製品の提供

  • Syndion® C
  • Syndion® Fシリーズ
  • Syndion® Gシリーズ

キーアプリケーション

  • 高帯域幅メモリと先進のパッケージングのためのTSV
  • CMOSイメージセンサー用の高アスペクト比構造
  • 先端パワーデバイス、アナログ集積回路(IC)、微小電気機械(MEMS)デバイス、およびウェーハ裏面処理のための大開口面積と高アスペクト比構造