SYNDION 系列產品

SYNDION 系列產品

Products

DRIE Reactive Ion Etch

Interconnect, Packaging, Sensors & Transducers

用來去除晶圓深處的矽晶與其他材料的電漿蝕刻製程統稱為深矽晶蝕刻(deep silicon etch)。這些深溝槽、矽穿孔(TSV)和其他高深寬比(HAR)結構是透過依序蝕刻各種不同材料而產生的,其中每種新材料都涉及蝕刻製程的改變。由於它們的結構在電性上通常是隔離或連接,因此即使與目標結果有輕微的差異,也會對元件效能產生負面影響。

Lam Research的 Syndion®蝕刻系列產品已為深矽晶蝕刻進行最佳化設計,可提供快速的製程切換,以實現精密蝕刻製程所需的深度與整片晶圓均勻度控制。


Industry Challenges


對於從行動裝置、汽車、安全到大數據 ─ 伺服器、雲端運算和繪圖等各種重要應用中使用的所有元件的製造來說,深矽晶蝕刻處理製程至關重要。例如,用來連接堆疊晶粒與記憶體儲存單元的矽穿孔(TSV)便需要利用蝕刻製程來形成高結構。智慧型手機中的CMOS影像感測器(CIS)以及汽車應用中的功率/MEMS元件也需要高深寬比的結構。在所有這些案例中,由於更小的關鍵尺寸(CD)和更深的結構,深寬比也不斷提升。製作這些結構的一種方式是快速地在蝕刻與沉積製程之間切換,因此可同時蝕刻此結構並在側壁上沉積材料,來保護這些結構。由於更高的深寬比以及需要蝕刻多種材料,需面臨比以往更高的挑戰,包括設法對付側壁的“scallop”尺寸與粗糙度、上層與底層的CD、蝕刻深度、以及整片晶圓均勻度、側面輪廓傾斜度等。此外,這些較大的結構要求高蝕刻率,以維持具成本效益的製造生產力。

KEY CUSTOMER BENEFITS


  • 快速交替製程(RAP)可為深寬比高達100:1的溝槽提供精密的深度均勻度
  • 由於高蝕刻率、優異的再現性(repeatability)、以及TSV堆疊內多種材料的原位蝕刻(矽晶、介電質、以及導體薄膜),可實現較低的擁有成本
  • 基於Lam從全套RIE蝕刻系統累積的豐富經驗,可提供業界最佳的生產力與製造效能

Product Offerings

  • Syndion® C
  • Syndion® F 系列

KEY APPLICATIONS

  • CMOS影像感測器和高頻寬記憶體的矽穿孔(TSV)
  • CMOS影像感測器和功率/MEMS元件的高深寬比結構
circle-arrow2circle-arrow2facebookgooglehandshake2health2linkedinmenupdfplant2searchtwitteryoutube