Syndion 제품군
Products
Deep Reactive Ion Etch (DRIE) Reactive Ion Etch (RIE)
딥 실리콘 식각은 실리콘을 제거하는 플라즈마 공정으로, 첨단 트랜지스터 및 메모리 셀보다 훨씬 더 큰 피처를 형성할 수 있습니다. 딥 실리콘 식각용으로 최적화된 램리서치의
Syndion® 제품군은 정밀한 식각 결과를 달성하는 데 필요한 깊이 및 웨이퍼 균일도 제어 능력을 구현합니다.
Industry Challenges
딥 실리콘 식각은 모바일 기기, 스마트카, 전력망, 에너지 부문 등 광범위한 응용 분야에 전력을 공급하는 첨단 칩을 제조하는 데 매우 중요한 공정입니다. 이 공정은 실리콘 관통 전극(TSV) 및 트렌치 등 더 크고 높은 고종횡비(HAR) 피처를 형성하는 데 사용됩니다.
- 실리콘 관통 전극(TSV)은 다이 웨이퍼를 통해 전기 연결을 형성하는 수직 구조물입니다. 이기종 통합을 비롯한 첨단 패키징의 핵심 솔루션인 TSV는 우수한 프로파일 제어, 높은 웨이퍼 내 균일성 및 높은 생산성을 필요로 합니다.
- CMOS(상보형 금속 산화반도체) 이미지 센서에 사용되는 딥 트렌치 구조는 매끄러운 측벽 프로파일과 정밀한 테이퍼 제어가 필요한 유사한 문제에 직면해 있습니다. 깊이 균일성, CD 균일성 및 마스크 선택도 매우 중요합니다.
- 첨단 전원 장치의 넓은 개구 영역과 고종횡비 트렌치 구조는 프로파일 및 균일성 크로스 웨이퍼를 제어하고 대량 제조 시 생산성을 개선하는 데 어려움을 더합니다.
이러한 구조를 형성하는 한 가지 방식은 제조 공정 중 식각과 증착을 신속하게 전환하여 피처를 새기고 재료를 벽에 쌓아 보호하는 것입니다. 그러나 최근 몇 년 동안 점점 더 높은 종횡비, 새로운 재료가 도입되고 제조 공정의 치수 요구 사항이 더욱 엄격해지며 이 방식을 사용하기가 더 어려워졌습니다.
또한 많은 경우 칩 제조업체는 식각 및 증착의 전환으로 인한 피처인 불필요한 스캘럽(scallop)과 식각률 사이에서 선택해야 합니다. 스캘럽 크기를 줄일 수 있지만 비용효율적 제조에 필수적인 생산성도 함께 감소합니다.
Syndion의 향상된 소스, 챔버 하드웨어 및 프로세스 기능은 칩 제조업체의 딥 실리콘 식각 응용 부문을 지원하는 데 필요한 정밀 솔루션을 제공합니다.
Key Customer Benefits
- 급속 교번 프로세스(Rapidly Alternating Process, RAP)로 트렌치 종횡비에 대해 정확한 깊이 균일성 구현
- 높은 식각률, 우수한 반복성, TSV 스택(실리콘, 유전체, 전도막)의 여러 재료 인시추 식각으로 관리비용 절감
- 첨단 전력 트렌치 장치 성능 및 웨이퍼 수율을 위한 우수한 웨이퍼 임계 치수(CD) 균일도, 깊이 균일성, 프로파일 제어
- 램리서치의 전체 RIE 식각 시스템으로 얻은 노하우를 통해 동급 최고의 생산성과 제조 성능 구현
Product Offerings
- Syndion® C
- Syndion® F-시리즈
- Syndion® G-시리즈
Key Applications
- 고대역폭 메모리 및 첨단 패키징용 TSV
- CMOS 이미지 센서를 위한 고종횡비 구조
- 첨단 전원 장치, 아날로그 집적회로(IC), MEMS(미세 전자기계 시스템) 장치, 웨이퍼 후면 공정을 위한 넓은 개구 영역 및 고종횡비 구조