Industry Challenges
在最前沿的芯片设计中，先进互连结构具有尺寸狭小、薄膜层复杂的特点，需要越来越灵活和精确的铜沉积性能。铜 （Cu） 电化学沉积工艺面临的挑战包括：在提供高生产效率的同时，还要达到无空隙填充、低缺陷率、低电阻率以及高深宽比 （HAR） 结构填充等要求。随着线宽不断缩小，阻挡层/籽晶层厚度持续变薄。在此背景下，为了使自底向上填充率达到要求并保护好籽晶层，业内对工艺控制提出了日益严苛的要求。要在单个逻辑层里集成多种尺寸的构件，就需要一个很宽的工艺窗口，以确保实现对深宽比、籽晶覆盖形貌和密度分布较广的结构的合适填充。
Key Customer Benefits
- 高产率、无空隙填充、优异的缺陷密度性能，适用于先进技术节点
- 最宽的工艺窗口，最高的自底向上填充速率，可轻松填充最具挑战性的高深宽比结构
- 直接把铜沉积于各种衬底材料上，这对下一代金属化方案至关重要
- 电镀开始时，这些技术可为种子层提供有力的保护，还能达到极佳的硅片间的均一性
- 通过行业领先的工艺去边技术增加有效芯片的面积，提高硅片良率
Product Offerings
- SABRE® Extreme
- SABRE® Max
- SABRE® Excel
Key Applications
- 逻辑互连
- 存储器互连