SABRE产品系列

SABRE产品系列

Products

Electrochemical Deposition (ECD)

Advanced Memory, Interconnect

铜沉积的作用是为最先进的半导体器件敷设铜导线。在这些导电结构中,即便是最小的缺陷——比如一个微型针孔或一粒灰尘——也可能会影响器件的性能,小到速度下降,大到完全失效。

泛林集团SABRE® ECD产品系列,帮助推动了向铜互连技术的变革,凭借生产效率居于行业领先水平的平台,满足铜大马士革镶嵌工艺的精度需求。


Industry Challenges


在最前沿的芯片设计中,先进互连结构具有尺寸狭小、薄膜层复杂的特点,需要越来越灵活和精确的铜沉积性能。铜 (Cu) 电化学沉积工艺面临的挑战包括:在提供高生产效率的同时,还要达到无空隙填充、低缺陷率、低电阻率以及高深宽比 (HAR) 结构填充等要求。随着线宽不断缩小,阻挡层/籽晶层厚度持续变薄。在此背景下,为了使自底向上填充率达到要求并保护好籽晶层,业内对工艺控制提出了日益严苛的要求。要在单个逻辑层里集成多种尺寸的构件,就需要一个很宽的工艺窗口,以确保实现对深宽比、籽晶覆盖形貌和密度分布较广的结构的合适填充。

KEY CUSTOMER BENEFITS


  • 高产率、无空隙填充、优异的缺陷密度性能,适用于先进技术节点
  • 最宽的工艺窗口,最高的自底向上填充速率,可轻松填充最具挑战性的高深宽比结构
  • 直接把铜沉积于各种衬底材料上,这对下一代金属化方案至关重要
  • 电镀开始时,这些技术可为种子层提供有力的保护,还能达到极佳的硅片间的均一性
  • 通过行业领先的工艺去边技术增加有效芯片的面积,提高硅片良率

Product Offerings

  • SABRE® Extreme
  • SABRE® Max
  • SABRE® Excel

KEY APPLICATIONS

  • 逻辑互连
  • 存储器互连
circle-arrow2circle-arrow2facebookgooglehandshake2health2linkedinmenupdfplant2searchtwitteryoutube