SABRE 제품군

SABRE 제품군

Products

Electrochemical Deposition (ECD)

Advanced Memory, Interconnect

구리 증착은 최첨단 반도체 소자의 전기 배선을 형성합니다. 이러한 전도성 구조물에 아주 작은 결함(즉, 미세한 핀홀이나 파티클)이라도 있으면 속도 저하에서부터 완전한 단선까지 소자 성능에 영향을 줄 수 있습니다.

구리 배선으로의 전환을 선도하는데 기여한 램리서치의 SABRE® ECD 제품군은 업계 최고의 생산성 플랫폼에서 구리 다마신 제조에 필요한 정밀도를 선보입니다.


Industry Challenges

첨단 칩 디자인에서 고급 배선물질의 구조에는 기하학 구조가 좁고 필름 층이 복잡해 더욱 유연하고 정밀한 구리 증착 기술이 필요합니다. 구리(Cu)의 전기화학 증착은 보이드 없는 충진, 적은 결함, 낮은 저항성, 고종횡비(HAR) 구조물을 충진할 때 높은 생산성을 구현할 수 있는 능력이 그 과제입니다. 라인 너비 감소와 함께 배리어/시드 스택이 지속적으로 얇아지면서 시드 층을 보호하면서 상향식 충진율을 충분히 달성하기 위해서는 엄격한 공정 제어가 요구됩니다. 단일 논리 층에 광범위한 피처 기하학 구조가 들어가기 때문에 종횡비, 시드 커버리지, 밀도 차이가 큰 구조물을 정확하게 충진할 수 있도록 넓은 공정 범위가 필요합니다.

Key Customer Benefits

  • 고급 기술 노드에 맞는 우수한 결함 밀도 성능과 높은 처리량, 보이드 없는 충진
  • 가장 넓은 공정 범위와 가장 빠른 상향식 성장 속도로 가장 까다로운 HAR 피처 충진
  • 다양한 라이너 재료에 구리를 직접 증착(차세대 금속배선 형성 방식에서 중요한 기능)
  • 도금 시작 시 시드 층을 보호하면서 뛰어난 웨이퍼 충진 균일도를 보장하는 기술
  • 업계 선두의 공정 엣지 배제(exclusion)로 사용 가능한 다이 영역을 넓혀 웨이퍼당 칩 수율 개선

Product Offerings

  • SABRE® Extreme
  • SABRE® Max
  • SABRE® Excel

Key Applications

  • 논리 배선물질
  • 메모리 배선물질
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