SABRE シリーズ製品

SABRE シリーズ製品

Products

Electrochemical Deposition (ECD)

Advanced Memory, Interconnect

銅(Cu)成膜は最先端デバイスの電気配線を形成する物です。この配線構造導体パターンに僅かな欠陥(例えば極微小なピンホールや異物ダスト粒子)があるだけで動作速度の低下や致命的な動作不良の原因になります。

ラムリサーチのSABRE® ECD製品シリーズは半導体産業がアルミ配線からCu配線に移行する際に先導的な役割を果たしました。 高い生産性で業界をリードするプラットフォーム上に構築され、Cuダマシン配線を高精度で仕上げます。


Industry Challenges

先進的なチップ設計で採用されている配線構造では非常に幅の狭いトレンチや複雑な積層膜が多く含まれます。そのため、これまで以上の柔軟性と高いCu成膜性能が必要になっています。Cuの電気化学的メッキ成膜の技術課題として、ボイドが無く、無欠陥で電気抵抗の低い成膜を実現すること、そしてかつ高アスペクト比(HAR)構造においても完全な埋め込みを行えること、更にこれら全てを高い生産性にて行う事などが挙げられます。線幅が狭くなる中、バリア/シード層はますます薄くなる傾向にあり、シード層を保護しつつ十分充分なボトムアップ堆積の成膜レートを得るの埋め込み率を達成できるようには厳密なプロセス制御性能が求められます。ロジック・デバイス等では一つの配線層の中でも場所によってアスペクト比、シード層カバレージ被覆率、パターン密度等が大きく異なります。こうした中、あらゆる部分で適切な埋め込みを実現するには広いプロセス・ウィンドウが必要になるのです。

Key Customer Benefits

  • 最先端の技術ノード要求されるボイドが無く、欠陥密度が低い埋め込みを高スループットで実現
  • 広いプロセス・ウィンドウと高いボトムアップの埋め込み率堆積の成長レートで、最も困難な高アスペクト比構造の埋め込みを実現
  • 次世代のメタライズ工程で重要となるダイレクトメッキめっき(シード層を介さずに直接Cuをライナー膜に堆積する技術)が多様なライナー膜材料で可能
  • 優れたウェハ面内均一性可能にしながら、メッキ開始時にシード層を保護する技術
  • 業界をリードするプロセスによりエッジエクスクルージョン余白の縮小が可能。これによりダイサイズ領域を広げられるのでウェハあたり当のチップ歩留り収量が向上

Product Offerings

  • SABRE® Extreme
  • SABRE® Max
  • SABRE® Excel

Key Applications

  • ロジック・デバイスの配線工程
  • メモリデバイスの配線工程
circle-arrow2circle-arrow2facebookgooglehandshake2health2linkedinmenupdfplant2searchtwitteryoutube