SABRE Produktfamilie

SABRE Produktfamilie

Products

Electrochemical Deposition (ECD)

Advanced Memory, Interconnect

Kupferbeschichtungen bilden die elektrische Verdrahtung für die fortschrittlichsten Halbleiterbauteile. Selbst der kleinste Defekt – zum Beispiel mikroskopisch große Stiftlöcher oder Staubpartikel – in diesen Leiterstrukturen kann die Leistung des Bauteils beeinträchtigen, angefangen vom Geschwindigkeitsverlust bis hin zu völligem Versagen.

Lams SABRE® ECD Produktlinie, die Vorreiter bei der Umstellung auf Kupferverbindungen war, bietet die Präzision und Produktivität, die für die Kupfermetallisierung in Fertigungslinien nötig ist.


Industry Challenges

Bei führenden Chipdesigns gehören zu fortschrittlichen Verbindungsstrukturen enge Geometrien und komplexe Filmschichten, die immer flexiblere und präzisere Kupferbeschichtungsleistungen erfordern. Die Herausforderungen für Beschichtungen mit Kupfer (Cu) umschließen fehlerfreie Füllungen, wenige Defektel, geringen Widerstand und die Fähigkeit, Strukturen mit hohem Querschnittverhältnis (HAR) auszufüllen und gleichzeitig hohe Produktionsleistungen zu erbringen. Die kontinuierliche Ausdünnung von Trennwand-/Startstacks zusammen mit schrumpfenden Linienstärken erfordert immer striktere Prozesskontrollen, um eine ausreichende Füllgeschwindigkeit von unten nach oben zu erreichen, während die Startschicht geschützt wird. Die Vielfältigkeit von Bauteilstrukturen auf einer einzelnen Logikebene erfordert ein breites Prozessfenster, um die einwandfreie Befüllung von Strukturen mit variierenden Querschnittverhältnissen, Startschichtabdeckungen und Dichten zu gewährleisten.

Key Customer Benefits

  • Fehlerfreie Befüllung mit hohem Durchsatz und höchster Defektdichtenleistung für fortschrittliche
  • Weitestes Prozessfenster und höchste Zuwachsgeschwindigkeit von unten nach oben, um die anspruchsvollsten HAR-Strukturen auszufüllen
  • Direkte Beschichtung mit Cu auf unterschiedlichen Mantelmaterialien, wichtig für Metallisierungsprozesse der nächsten Generation
  • Technologien, die die Startschicht bei der Initiierung der Galvanisierung schützen und gleichzeitig eine ausgezeichnete gleichmäßige Befüllung über den gesamten Wafer gewährleisten
  • Vergrößerter nutzbare Ausbeutebereich durch branchenführend optimierten Randausschluss zur Erhöhung der Zahl der Ausbeutechips pro Wafer

Product Offerings

  • SABRE® Extreme
  • SABRE® Max
  • SABRE® Excel

Key Applications

  • Logik Verbindung
  • Speicher-Verbindung
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