SABRE系列產品 - Lam Research

SABRE系列產品

SABRE系列產品

Products

電化學沉積 (ECD)

互連, 先進記憶體

銅製程是目前高階半導體元件製造金屬導線所採用的技術,導線中若是出現像細微孔洞(pinhole)或微小灰塵(particle)等細微的缺陷,都會影響元件的性能,並造成如操作速度不如預期,或完全無法使用的情況。

Lam Research的SABRE® ECD產品系列,是引領產業移轉到銅導線製程的先驅,可在生產力領先業界的平台上,提供銅鑲嵌(damascene)製程所需的精密度。

Industry Challenges

在尖端的晶片設計中,為了產生導線中細緻的幾何特徵和複雜的薄膜層,因此需要更靈活、更精密的銅沉積功能。銅電鍍沉積技術所面臨的挑戰包括:需具備無空隙(void-free)填充、低缺陷、低電阻、以及填充高深寬比(HAR)結構的能力,並提供高生產力效能。阻障層(barrier)/晶種層(seed)堆疊的持續變薄,再加上線寬的縮小,因此需要更嚴格的製程控制技術,才能達到足夠的由下而上(bottom-up)填充率,並同時有效保護晶種層。此外,在單一邏輯層中會包含不同的特徵結構,因此需要更寬廣的製程容許範圍(process window),以確保各種不同深寬比、晶種層覆蓋率、以及密度的結構都能夠妥善地填充。

Key Customer Benefits

  • 針對先進製程節點,提供高產出效率並具有低缺陷密度之無空隙填充製程
  • 最寬廣的製程容許範圍、以及最高的由下而上(bottom-up)成長速率,可填充最具挑戰性的高深寬比(HAR)結構
  • 可在各種襯墊(liner)材料上直接進行銅沉積,是下一代金屬化製程(metallization)的重要功能
  • 可在電鍍初始階段保護晶種層,並實現優異的整片晶圓均勻度
  • 透過領先業界的製程技術,降低晶圓邊緣排除區(edge exclusion area)以增加可用的晶片面積,進而提高每片晶圓的積體電路產出良率(yield)

Product Offerings Pro

  • SABRE® Extreme
  • SABRE® Max
  • SABRE® Excel

Key Applications

  • 邏輯元件的互連導線
  • 記憶體元件的互連導線
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