記憶體單元 ─ 儲存電子資料的晶片元件 ─ 有揮發性(如DRAM)及非揮發性(如快閃記憶體flash)兩種儲存型態。DRAM是主要的「工作」(活動)記憶體，而快閃記憶體是用來以緊湊的形式儲存大量的資料。為了增加元件密度以獲得更多的儲存容量，DRAM的特徵結構正不斷地縮小，而NAND快閃記憶體則轉向3D架構，這都帶來了更多的製程挑戰。例如，3D NAND的多層架構容易受應力影響，而且高深寬比通道中的任何缺陷都會產生電性短路和干擾。此外，生產能夠兼具活動和儲存型態的新型記憶體也很困難，因為它們採用了新穎且難以加工的材料。因此，需要優異的製程控制、靈活性和生產力。
先進記憶體
解決方案
ALTUS系列產品
Atomic Layer Deposition (ALD) 化學氣相沉積（CVD）
結合化學氣相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)技術，這些領先市場的系統可為先進的鎢金屬化應用沉積出所需之高度均勻一致的(conformal)薄膜。
CORONUS系列產品
Plasma Bevel Etch and Deposition
Coronus 系統專注於晶圓邊緣，以提高產品良率。半導體製程會導致殘留物和微粗糙沿著晶圓邊緣積聚，它們可能會剝落、漂移到其他區域並產生導致元件失效的缺陷。Coronus 刻蝕產品可去除邊緣殘留物，Coronus 沉積可保護晶圓邊緣不受損害。
STRIKER系列產品
Atomic Layer Deposition (ALD)
利用先進的ALD技術，這些產品可為介電層薄膜提供優異的控制能力，以建構關鍵製程中具備奈米級結構的先進元件。
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