SPEED系列產品

SPEED系列產品

Products

透過填充導線之間和元件之間各種不同深寬比的開口,介電層「間隙填充」(“gapfill”)製程可在導體和/或有效晶粒區域之間沉積關鍵的絕緣層。對某些先進元件而言,要填補的結構可能非常的深且窄。因此,高品質的介電層薄膜層特別地重要,以避免日益嚴重的串擾(cross-talk)和元件失效可能性。

Lam Research的SPEED® HDP-CVD產品可為高品質的間隙填充提供多介電層薄膜解決方案,具備業界領先的高生產量與可靠度。針對某些應用,透過我們的Reliant®系統還可選擇一些機型作為整修產品,能以較低的擁有成本提供與新系統相同的品質保證與效能。


Industry Challenges


在先進技術節點,晶片製造商更需要高品質的介電層薄膜來進行間隙填充製程,以把整合複雜度降至最低。填充這些先進結構的沉積製程正面臨了新的挑戰,它必須能夠達成零缺陷的結果,並同時維持高生產量。針對先進節點的高深寬比(HAR)結構,交替式的間隙填充技術通常無法提供所需的薄膜特性,因而造成不佳的製程控制並增加整合複雜度。更好的方式是利用HDP-CVD作為完整的間隙填充解決方案,或是用它覆蓋在其它的間隙填充技術之上,以強化製程控制並降低整合風險。

KEY CUSTOMER BENEFITS


  • 透過定制之沉積與電漿在製程腔體現場(in-situ)蝕刻側面輪廓的能力,可實現業界最佳的單片晶圓厚度與間隙填充均勻度
  • 優異的低微粒數之效能與高生產量 ─ 此設計能在一般清洗與快速清洗之間達到大批量產出
  • 能以相同平台提供寬廣的製程靈活性,無需大幅修改硬體

Product Offerings

  • SPEED® NExT
  • SPEED® Max

KEY APPLICATIONS

  • 淺溝槽隔離(STI)沉積
  • 金屬前介電層(PMD)沉積
  • 層間介電層(ILD)沉積
  • 金屬間介電層(IMD)沉積
  • 鈍化層(passivation layer)沉積
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