Products
SPEED系列產品
高密度電漿化學氣相沉積（HDP-CVD）
SPEED系列產品
透過填充導線之間和元件之間各種不同深寬比的開口，介電層「間隙填充」(“gapfill”)製程可在導體和/或有效晶粒區域之間沉積關鍵的絕緣層。對某些先進元件而言，要填補的結構可能非常的深且窄。因此，高品質的介電層薄膜層特別地重要，以避免日益嚴重的串擾(cross-talk)和元件失效可能性。
Lam Research的SPEED® HDP-CVD產品可為高品質的間隙填充提供多介電層薄膜解決方案，具備業界領先的高生產量與可靠度。針對某些應用，透過我們的Reliant®系統還可選擇一些機型作為整修產品，能以較低的擁有成本提供與新系統相同的品質保證與效能。
行业挑战
在先進技術節點，晶片製造商更需要高品質的介電層薄膜來進行間隙填充製程，以把整合複雜度降至最低。填充這些先進結構的沉積製程正面臨了新的挑戰，它必須能夠達成零缺陷的結果，並同時維持高生產量。針對先進節點的高深寬比(HAR)結構，交替式的間隙填充技術通常無法提供所需的薄膜特性，因而造成不佳的製程控制並增加整合複雜度。更好的方式是利用HDP-CVD作為完整的間隙填充解決方案，或是用它覆蓋在其它的間隙填充技術之上，以強化製程控制並降低整合風險。
主要客户利益
- 透過定制之沉積與電漿在製程腔體現場(in-situ)蝕刻側面輪廓的能力，可實現業界最佳的單片晶圓厚度與間隙填充均勻度
- 優異的低微粒數之效能與高生產量 ─ 此設計能在一般清洗與快速清洗之間達到大批量產出
- 能以相同平台提供寬廣的製程靈活性，無需大幅修改硬體
產品
- SPEED® NExT
- SPEED® Max
主要应用
- 淺溝槽隔離(STI)沉積
- 金屬前介電層(PMD)沉積
- 層間介電層(ILD)沉積
- 金屬間介電層(IMD)沉積
- 鈍化層(passivation layer)沉積