SPEED 제품군
Products
High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition (HDP-CVD)
Advanced Memory, Discrete & Power Devices, Interconnect, Optoelectronics & Photonics, Transistor, 센서 및 트랜스듀서
유전체 “갭필(gapfill)” 공정에서는 전도 라인과 소자 사이에서 종횡비가 다양한 단선부를 충진하여 전도성 및/또는 활성 영역 사이의 임계 절연층을 증착합니다. 고급 소자의 경우 충진 구조물이 매우 길고 좁을 수 있습니다. 그 결과 상호간섭과 소자 단선 가능성이 계속 증가하기 때문에 고품질 유전막이 특히 중요합니다.
램리서치의 SPEED® HDP-CVD 제품은 업계 최고의 처리량과 신뢰성을 자랑하는 고급 갭필용 다중 유전막 솔루션을 제공합니다. 어플리케이션에 따라 일부 모델은 당사의 Reliant® 시스템을 통해 품질보증과 성능은 새 시스템과 동일하게 유지하면서 관리비용은 더 적게 드는 개량제품으로 제공되기도 합니다.
Industry Challenges
고급 기술 노드에서 칩 제조업체들은 집적 복잡도를 해소하기 위한 갭필 공정용 고급 유전막이 계속해서 필요하게 됩니다. 이러한 고급 구조물을 충진하는 증착 공정에서 처리량을 높게 유지하면서 결함 없는 결과를 달성하기가 어렵습니다. 고급 노드에서 고종횡비(HAR) 구조물은 대체(alternate) 갭필 기술로는 필요한 필름 물성을 제공하지 못해 공정 제어가 잘 안 되고 집적 복잡도도 증가합니다. 선호되는 접근방식은 HDP-CVD를 전체 갭필 솔루션 또는 다른 갭필 기술의 마무리 단계로 사용하여 공정 제어를 향상시키고 집적 위험도를 완화하는 것입니다.
Key Customer Benefits
- 증착 및 인시추 식각 프로파일의 맞춤화 능력으로 업계 최상의 웨이퍼 두께와 갭필 균일도 구현
- 우수한 파티클 성능과 처리량 - 세정과 고속 세정 사이의 배치 규모를 확장할 수 있는 디자인
- 하드웨어 교체 없이 동일 플랫폼에서 광범위한 공정 유연성 발휘
Product Offerings
- SPEED® NExT
- SPEED® Max
Key Applications
- 얕은 트렌치 소자 분리(STI)
- 금속전 유전체(PMD)
- 층간 유전체(ILD)
- 금속 층간 유전체(IMD)
- 식각 보호막