SPEED Produktfamilie
Products
Chemische Plasma-Gasphasenabscheidung mit hoher Dichte (HDP-CVD)
Diskrete & Leistungsbauelemente, Erweiterter Speicher, Interconnect, Optoelektronik und Photonik, Sensoren und Wandler, Transistor
Dielektrische „Gapfill“-Verfahren lagern kritische Isolationsschichten zwischen leitenden und / oder aktiven Bereichen ab, indem Öffnungen mit verschiedenen Seitenverhältnissen zwischen leitenden Leitungen und zwischen Bauelementen gefüllt werden. Bei Bauteilen jüngster Generation können die zu füllenden Strukturen sehr hoch/tief und eng sein. Daher sind wegen des ständig wachsenden Risikos von Wechselwirkungen und Bauteilversagen hochgradige dielektrische Schichten besonders wichtig.
Lams HDP-CVD-Produkte von SPEED® bieten mehrere Lösungen mit dielektrischen Filmen für hochgradiges Gap-Filling mit branchenführendem Durchsatz und Verlässlichkeit. Für einige Anwendungen sind ausgewählte Modelle auch über unsere Reliant® -Systeme als generalüberholte Produkte erhältlich, wodurch niedrigere Betriebskosten mit der gleichen Qualität und Leistung wie bei neuen Systemen erzielt werden.
Industry Challenges
Für fortgeschrittene, geringe Strukturbreiten benötigen Chiphersteller hochqualitative Schichten für Gap-Filling-Prozesse, um die Integrationskomplexität zu verringern. Abscheidungssprozesse, die diese Strukturen ausfüllen, stehen vor der Herausforderung, defektfreie Ergebnisse zu erzielen und gleichzeitig einen hohen Durchsatz beizubehalten. Für Strukturen mit hohem Querschnittverhältnis (HAR) liefern alternative Gap-Fill-Technologien oftmals nicht die benötigten Filmeigenschaften, was zu schlechter Prozesssteuerung und erhöhter Integrationskomplexität führt. Zu den bevorzugten Herangehensweisen gehört die Verwendung von HDP-CVD, entweder als komplette Gap-Fill-Lösung oder als Abdeckung für alternative Lückenfüll-Technologien, um die Prozesskontrolle zu verbessern und Integrationsrisiken zu mindern.
Key Customer Benefits
- Erstklassige Schichtdicke über den gesamten Wafer und Gap-Fill-Gleichmäßigkeit durch die Fähigkeit, die Ablagerung und das In-situ-Ätzprofil anzupassen
- Ausgezeichnete Partikel-Performanz und überragender Durchsatz: das Design ermöglicht enorme Chargengrößen zwischen Reinigungen und schnellere Reinigungen
- Breitgefächerte Prozessflexibilität ist auf derselben Plattform verfügbar, ohne das größere Hardwareänderungen notwendig sind
Product Offerings
- SPEED® NExT
- SPEED® Max
Key Applications
- Shallow-trench Isolierung (STI)
- Pre-Metal-Dielektrika (PMD)
- Zwischenschicht-Dielektrika (ILD)
- Zwischenmetall-Dielektrika (IMD)
- Passivierungsschichten