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SPEED シリーズ製品
高密度プラズマ化学気相成長法（HDP-CVD）
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SPEED シリーズ製品
深い溝を絶縁膜で埋め込むギャップフィルという工程は配線層やアクティブ領域（トランジスタ形成部分）にある、色々なアスペクト比の段差を埋め戻すことで配線間あるいは配線とデバイス間の絶縁層を形成する重要なプロセスです。最先端デバイスにおいては埋め戻すべき溝や孔は非常に深く、開口が狭くなっています。絶縁が不完全だとクロストーク（配線間の信号干渉）やデバイス不良が生じやすくなりますので、高品質で完全な絶縁層埋め込みが不可欠になります。
ラムリサーチのSPEED® HDP-CVD（高密度プラズマCVD）シリーズは複数の誘電体材料を扱え、高品質なギャップフィルを実現します。業界をリードするスループットと信頼性を備えた成膜ソリューションです。用途によっては当社のReliant®シリーズのリファブ製品も利用できます。コストを抑えつつ、新品同様の性能と品質保証が得られます。
業界の課題
最先端の技術ノードにおいて半導体メーカはプロセスインテグレーション（多工程を通じてプロセスの整合性を取る作業）が複雑化するのを避けるため、ギャプフィルに高品質な誘電膜を求めています。高スループットを維持しつつ、複雑な形状を無欠陥で埋め込む事がこの成膜工程に課せられた課題です。最新の技術ノードにおける高アスペクト比（HAR）構造に対しては、他のギャップフィル方法では望ましい膜特性を得るのが困難です。その結果、必要なプロセス精度が得られず、プロセスインテグレーションが複雑化します。ギャプフィルやキャップ生成を完全に行う上で必要なプロセス精度を得て、プロセスインテグレーションのリスクを抑制するには HDP-CVDが他の手段よりも望ましい選択になるのです。
お客様の主なメリット
- 成膜条件やエッチング断面形状を装置上でカスタマイズ可能で業界最高のウェハ面内膜厚均一性とギャップフィル均一性
- パーティクルが少なく、高スループット。クリーニングプロセス間の大量バッチ処理も可能で、チャンバークリーニング時間を短縮。
- 大きなハードウェア変更をしなくても、同一装置で広範なプロセスに適用できる柔軟性
製品の提供
- SPEED® NExT
- SPEED® Max
キーアプリケーション
- シャロートレンチアイソレーション（Shallow Trench Isolation：STI）
- プリメタル絶縁膜（Pre-metal dielectrics：PMD）
- 層間絶縁膜（Inter-layer dielectric：ILD）
- 金属配線層間絶縁膜（Inter-metal dielectrics：IMD）
- パッシベーション膜（最上層の保護膜）