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SPEED产品系列
高密度等离子体化学气相沉积（HDP-CVD）
SPEED产品系列
介电“间隙填充”工艺通过填充导线之间以及器件之间各种深宽比的开口，在导电区域和/或有源区域之间沉积关键绝缘层。对于先进器件，被填充的结构可能非常高且狭窄。因此，由于出现串扰和器件故障的可能性不断增加，优质介电薄膜尤显重要。
泛林SPEED® 高密度等离子体化学气相沉积（HDP-CVD）产品拥有行业领先的产率和可靠性，可为高质量间隙填充应用提供多层介电薄膜解决方案。针对某些应用，我们的Reliant® 翻新产品系列推出一些特定型号，以更低的持有成本提供与新系统相同的质量保证和性能。
行业挑战
在先进技术节点下，芯片制造商仍然需要面向间隙填充工艺的优质介电薄膜，以最大限度地降低集成复杂度。用于填充这些先进结构的沉积工艺面临着在维持高产率的同时实现无缺陷结果的挑战。对于先进节点的高深宽比（HAR）结构，替代性间隙填充技术通常无法提供必要的薄膜属性，从而造成工艺控制不良和集成复杂度增加。首选方法是将HDP-CVD作为完整的间隙填充解决方案，或是将其作为其他间隙填充技术的补充，以增强工艺控制、降低集成风险。
主要客户利益
- 能够定制沉积和原位刻蚀形貌 ，具有最佳的硅片间厚度均匀性和间隙填充均匀性
- 卓越的粒子性能和极佳的产量——这种设计允许在清洗作业之间进行大批量生产，且清洗速度更快
- 同一平台实现极高的工艺灵活性，无需对硬件进行重大改进
产品
- SPEED® NExT
- SPEED® Max
主要应用
- 浅沟槽隔离（STI）
- 金属前介电（PMD）
- 层间介电（ILD）
- 金属间介电（IMD）
- 钝化层