- 透過快速的ALD週期和「ALD等級」的元件、軟體與控制技術,可縮短製程處理時間並實現業界領先的技術與缺陷效能
- 可在寬廣的溫度範圍內,針對特定應用調整機械與電性薄膜特性
- 用於薄膜摻雜和原位(in-situ)罩幕修整(mask trimming)多種化學功能
- 密封、無損壞、均勻一致的襯墊層
- 高選擇性、低濕式蝕刻速率的薄膜
- 透過生產驗證的多站靜態式沉積架構,可實現業界最佳的生產力與擁有成本
- Striker®
- Striker® FE
- 間隙填充介電層
- 均勻一致的襯墊層
- 曝光(Patterning)間隔層與罩幕(mask)
- 密封封裝
- 蝕刻停止層
- 光學薄膜
STRIKER系列產品
Products
最新的記憶體、邏輯及影像元件需要極薄、且均勻一致的介電層薄膜,以持續元件效能的提升與微縮。舉例來說,對於基於間隔層(spacer)的多重曝光(multiple patterning)技術來說,由於會利用間隔層來定義關鍵尺寸(CD)以及絕緣襯墊層(liner),因此這類薄膜特別重要,即使是最微小的缺陷也不被容許。
透過特定應用的製程與硬體選項,Lam Research的Striker®單晶圓ALD(原子層沉積)產品能以最低的擁有成本實現業界最佳的薄膜技術與缺陷效能,為這些高難度需求提供關鍵性解決方案。
Industry Challenges
半導體產業不斷地突破邏輯、記憶體與影像感測器晶片的微縮極限,致力於提供更高的處理速度、更多的資料儲存空間、以及更快的圖案辨識功能。3D架構以及特徵結構微縮新方法的出現,推動了對創新晶片製造的需求。為了實現這些方式,沉積製程必須提供超薄、均勻一致的介電層薄膜,並具備適用於先進曝光、降低電容、優異的電性絕緣、以及無損壞的密封封裝(hermetic encapsulation)等關鍵解決方案的特性。設備製造商正轉向採用ALD(原子層沉積)技術 ─ 薄膜是一層一層地生長,而且不會受到特徵尺寸與圖案密度的影響 ─ 可提供令人滿意的晶圓結果。同時,提供符合製造環境所需的生產力也是一個重要要求。