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STRIKER系列產品
原子層沉積(ALD)
最新的記憶體、邏輯及影像元件需要極薄、且均勻一致的介電層薄膜,以持續元件效能的提升與微縮。舉例來說,對於基於間隔層(spacer)的多重曝光(multiple patterning)技術來說,由於會利用間隔層來定義關鍵尺寸(CD)以及絕緣襯墊層(liner),因此這類薄膜特別重要,即使是最微小的缺陷也不被容許。
透過特定應用的製程與硬體選項,Lam Research的Striker®單晶圓ALD(原子層沉積)產品能以最低的擁有成本實現業界最佳的薄膜技術與缺陷效能,為這些高難度需求提供關鍵性解決方案。
半導體產業不斷地突破邏輯、記憶體與影像感測器晶片的微縮極限,致力於提供更高的處理速度、更多的資料儲存空間、以及更快的圖案辨識功能。3D架構以及特徵結構微縮新方法的出現,推動了對創新晶片製造的需求。為了實現這些方式,沉積製程必須提供超薄、均勻一致的介電層薄膜,並具備適用於先進曝光、降低電容、優異的電性絕緣、以及無損壞的密封封裝(hermetic encapsulation)等關鍵解決方案的特性。設備製造商正轉向採用ALD(原子層沉積)技術 ─ 薄膜是一層一層地生長,而且不會受到特徵尺寸與圖案密度的影響 ─ 可提供令人滿意的晶圓結果。同時,提供符合製造環境所需的生產力也是一個重要要求。