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Striker 제품군
원자층 증착(ALD)
최신 메모리, 논리 및 촬상 소자는 지속적인 소자 성능 개선과 확장을 위해 매우 얇은, 고등각 유전막이 필요합니다. 예를 들어, 이러한 박막은 스페이서가 임계 치수(CD)를 비롯해 아주 작은 결함에 대해 오차도 거의 허용하지 않는 절연 라이너를 훨씬 더 수월하게 규정하게 하는 스페이서 기반 다중 패터닝 방식에서 매우 중요합니다.
램리서치의 Striker® 단일 웨이퍼 ALD 제품은 동급 최고의 박막 기술과 결함 성능(defect performance)을 최저 관리비용으로 구현하는 용도별 공정과 하드웨어 옵션을 통해 까다로운 요건에 맞는 핵심 솔루션을 제공합니다.
반도체 산업은 처리 속도, 데이터 저장 및 패턴 인식 속도 개선을 위한 노력을 통해 논리, 메모리 및 이미지 센서 칩의 확장 한계를 계속 밀어내고 있습니다. 여기에 3D 아키텍처에 새로운 피처 수축 방법이 등장하면서 칩 제조의 혁신에 대한 필요성이 커지고 있습니다. 이러한 방식을 뒷받침하기 위해서는 증착 공정에서 초박형 등각 유전막에 고급 패터닝, 정전용량 감소, 뛰어난 전기 절연, 손상 없는 밀봉 캡슐화를 위한 물성을 겨냥한 핵심 솔루션이 있어야 합니다. 장비 제조업체들은 박막이 층별로 성장하고 피처 크기와 패턴 밀도의 영향을 받지 않는 ALD 기술에서 필요한 온웨이퍼 결과를 구현하고 있습니다. 이와 동시에 제조 환경에 필요한 생산성을 제공하는 것도 중요한 요건입니다.