ALTUS产品系列

ALTUS产品系列

Products

Atomic Layer Deposition (ALD) Chemical Vapor Deposition (CVD)

Advanced Memory, Interconnect, Packaging, Transistor

钨沉积技术被用于在芯片上填充形成触点、通孔、插塞等导电结构。这些结构尺寸较小,且通常细窄,只需少量金属,因此要最大限度降低电阻并充分填充存在一定困难,容易产生工艺缺陷。至纳米尺度以下,即使是轻微的瑕疵也会影响器件性能,甚至导致芯片失效。

泛林集团ALTUS® 系统处于市场领先水平,结合化学气相沉积和原子层沉积技术,用于先进的钨金属化工艺中高保形薄膜沉积。针对某些特定应用,我们的Reliant® 翻新产品系列已经推出一些特定型号,以更低的持有成本提供与新系统相同的质量保证和性能。


Industry Challenges


随着半导体制造商迈进更先进技术节点,钨金属化工艺面临巨大的微缩和集成挑战。例如,极力降低接触电阻以满足先进器件的低功耗和高性能要求。对于纳米尺度结构,传统阻挡层材料和沉积技术会造成结构中间留空,导致沟槽开口提前封闭,引起孔隙、电阻增加以及触点失效等问题,因此利用传统化学气相沉积工艺实现金属钨完全填充存在一定困难。另一方面,即使微小结构能被完全填充,极小的含钨量会致使接触电阻增加。先进的存储和逻辑器件制造要求采用的沉积工艺不但能实现完全、无缺陷钨填充,同时要求降低钨的体电阻率。为了改善接触填充效果并降低接触电阻,必须保证沉积的阻挡层薄膜具有良好的台阶覆盖率、较低的电阻率和相比物理气相沉积与传统化学沉积方法得到的更小的薄膜厚度。

KEY CUSTOMER BENEFITS


  • 钨薄膜生产行业标杆
  • 基于多站点序列沉积(MSSD)架构专利技术,利用泛林集团脉冲成核层(PNL)原子层沉积工艺和原位连续生长化学气相沉积填充工艺形成成核层
  • 利用原子层沉积工艺减小薄膜厚度并降低钨薄膜整体电阻率,改变化学气相沉积连续颗粒填充的生长模式
  • 低氟、低应力钨填充,适用于先进3D NAND和DRAM
  • 通过在 WN薄膜沉积中采用原子层沉积工艺,相比传统阻挡层实现高的台阶覆盖率并降低了薄膜厚度

Product Offerings

  • Concept Two® ALTUS®
  • ALTUS® Max
  • ALTUS® Max ExtremeFill™
  • ALTUS® DirectFill™ Max
  • ALTUS® Max ICEFill™
  • ALTUS® LFW

KEY APPLICATIONS

  • 钨插塞、 接触孔和通孔填充
  • 3D NAND字线
  • 低应力复合互连
  • 用于通孔和 接触孔 金属化的WN阻挡膜
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