ALTUS 제품군

산업의 과제

반도체 제조업체가 더 작은 기술 노드를 향해 나아감에 따라 접촉 금속화 공정은 전력 소비를 줄이고 높은 속도 요구 사항을 충족하기 위해 접촉 저항을 최소화하는 등 중요한 확장성 및 통합 문제에 직면하고 있습니다.

나노 구조에서, 기존 CVD 방법으로 텅스텐(W)을 완전히 필링하는 것은 기존 배리어 박막 및 증착 기술로 인한 돌출(overhang) 문제로 인해 제한됩니다. 이로 인해 필링이 완료되기 전에 피처 개구부가 닫히게 되어 기공, 높은 저항 및 접촉 실패가 발생할 수 있습니다. 완전히 필링된 작은 피처조차도 텅스텐이 적게 채워져 접촉 저항이 증가하는 문제가 있습니다.

첨단 메모리 및 로직 특성은 완전하고 결함이 없는 텅스텐 필링을 가능하게 하고 동시에 벌크 텅스텐의 저항을 감소시키는 증착 기술을 요구합니다. 접촉 필링을 향상하고 접촉 저항을 줄이기 위해서는 얇은 두께(물리적 증기 증착(PVD)/CVD 배리어 박막과 비교 시)에서 적절한 배리어 스텝 커버리지를 구현해야 합니다.

더욱 진보된 컴퓨팅 기술에 대한 수요가 급격하게 증가하고 있으며 오늘날의 반도체 제조업체들은 스케일 경쟁에서 한계까지 밀어붙이며 가능한 모든 방법을 시도하고 있습니다.

몰리브덴을 사용하는 이유

NAND, DRAM 및 로직 특성 요구 사항을 충족하기 위해서는 새로운 증착 기술이 필요합니다. 기존의 금속화 방식은 이러한 스케일링 요구를 충족하지 못하므로 업계에서는 세 가지 최첨단 집적 회로(IC) 유형에 몰리브덴(Mo) 금속화를 적용하고 있습니다.

그러나 ALD 도구를 사용하는 제조 공정에 몰리브덴을 적용하기 위해서는 상당한 혁신이 필요합니다. 이러한 과제에는 다음이 포함됩니다. 이를 위해 고온 적용 능력, 고급 반응기 및 공정 순서 설계 능력, 웨이퍼 온도 정밀 제어하는 능력, 다양한 화학물질 처리를 통한 몰리브덴(Mo) 고체 전구체를 대량으로 공급할 수 있는 능력이 요구됩니다.

자세한 내용은 금속화 솔루션 페이지를 참조하십시오

주요 고객 이점

• 라이너 및 벌크용 순차 처리 및 다중 온도 증착을 통한 공정 유연성과 생산성을 위한 4단 모듈(QSM) 아키텍처
• 고급 ALD 필링 기술
• 고온 진공 클램핑 세라믹 받침대를 사용하여 웨이퍼 휨 관리로 뛰어난 열 균일성 제공, 후면 증착 방지
• 서브 팹 승화 시스템을 통한 전구체 전달 및 이를 통한 팹 면적 축소 및 중단 없이 전구체 앰플 교체
• 혁신적으로 개선된 화학적 식각(ACE)을 이용한 통합 세정
• 다중 모듈, 다중 온도 순차 또는 배치 공정
• 열 및 플라즈마 Mo ALD
• CCP(Capacitively Coupled Plasma) 및 원격 플라즈마 전처리 옵션
• 플랫폼 구성 유연성
• 텅스텐 박막 생산성에 대한 업계 벤치마크
• 램리서치의 펄스 방식 핵 형성층(PNL) ALD 공정과 특허받은 다단계 순차 증착(MSSD) 아키텍처를 통해 형성된 핵 형성층 및 현장 CVD 대량 필링 방식
• ALD를 사용하여 얇은 텅스텐(W) 박막의 두께를 줄이고 CVD 벌크 필링 입자 성장을 변경함으로써 전체 저항을 낮춤
• 저불소, 저응력 텅스텐(W) 필링으로 첨단 3D NAND 및 DRAM 지원
• WN 박막 증착 시 ALD를 사용하여 기존 배리어 박막보다 얇아진 두께에서도 높은 스텝 커버리지 구현