CORONUS 제품군
Products
Advanced Packaging Plasma Bevel Etch and Deposition
베벨 식각을 통해 제조 단계에서 웨이퍼 엣지에 생기는 불필요한 마스크, 잔여물, 막을 제거합니다. 이러한 물질을 제거하지 않으면 결함의 원인이 됩니다. 예를 들어, 물질들이 떨어져 날리면 이후 공정에서 소자 부분에 다시 증착될 수 있습니다. 파티클 하나라도 소자의 중요 부위에 내려 앉으면 전체 칩이 망가질 수 있습니다. 중요 공정 단계에서 베벨 세정 공정을 넣으면 이러한 잠재적 결함원을 없애고, 불량 칩 생산을 줄일 수 있습니다.
또는, 베벨 증착이 보호 필름 역할을 하여 이 영역을 덮을 수 있습니다. 예를 들어, 3D NAND와 같은 고급 메모리 소자에서는 아주 긴 식각 공정이 필요합니다. 이러한 긴 공정 단계는 기판에 심각한 손상을 입힐 수 있어 보호 장벽이 없다면 웨이퍼 수율이 전혀 나오지 않을 수도 있습니다. 3D 패키징을 위한 웨이퍼 본딩의 경우, 베벨에 증착된 막은 캐리어와 소자 간의 기계적인 지지 역할을 하여 웨이퍼 엣지 칩핑을 방지하고, 필름의 평탄을 유지하여 고품질의 결합을 보장합니다.
플라즈마의 정밀 제어 및 유연성에 소자 영역을 보호하는 기술을 결합한 램리서치의 Coronus® 베벨 식각 및 증착 제품군은 웨이퍼 엣지를 세정하여 소자 수율을 높여줍니다.
산업의 과제
칩 제조업체들이 웨이퍼 외곽에 양호한 다이의 수를 늘리기 위한 중요 전략으로 엣지 제외부를 점차 줄이는 것에 집중하면서, 베벨 공정은 개발 팀의 최우선 순위가 되어가고 있습니다. 웨이퍼 엣지에서 필름 적층의 기계적 마모나 응력으로 인해 필름이 박리되고 이후 웨이퍼 전면에 재증착되면 수율에 잠재적인 영향을 미칠 수 있습니다. 액침 노광의 경우, 엣지에 존재하는 결함이 웨이퍼로 옮겨가면 수율 이탈을 야기하므로 엣지의 무결성이 절대적으로 중요합니다. 베벨 영역을 대상으로 하는 세정 또는 증착을 통해 수율에 악영향을 주는 웨이퍼 엣지에서 기인하는 결함 원인을 제거하여 이 문제를 해결할 수 있습니다.
주요 고객 이점
- 웨이퍼 엣지에서 불필요한 물질을 선택적으로 제거하여 수율 개선
- 독점 플라즈마 밀폐 기술을 이용한 활성 다이 영역 보호
- 높은 생산성 보장하기 위한 다중 소재 필름 스택과 잔여물의 인시투 제거
- α-탄소 필름과 탄소 함량이 많은 잔여물을 제거하는 업계 유일의 베벨 세정 제품
- 금속 필름을 제거하여 추후 플라즈마 단계에서 아킹(arcing) 방지
- 엣지 칩핑과 프로필 롤 오프와 같은 웨이퍼 본딩 문제 제거
- 장기간 습식 식각 시 베벨의 기판 손상 방지
제품 제공
- Coronus®
- Coronus® HP
- Coronus® DX
주요 응용 프로그램
- 얕은 트렌치 소자 분리(STI)용 식각 후처리, 게이트, 중간 공정(middle-of-line, MOL), 후공정(back-end-of-line, BEOL)
- 증착 전처리 및 후처리
- 노광 전처리
- 금속막 제거
- 웨이퍼 간 본딩 갭 충전
- 습식 및 건식 식각 베벨 보호