科林研發正在引領新一代 DRAM 的發展
隨著個人電腦、筆記型電腦、行動電話及資料中心持續成長，DRAM 已推進至第六代 10 奈米級晶片，稱為 1-gamma。 為了滿足功耗、速度與密度的需求，預計 DRAM 製造商將持續延伸平面製程藍圖，透過將儲存單元架構由 6F² 轉換為 4F²，並於 2028 年前大幅推進至 10 奈米以下的領域。
憑藉數十年經驗證明的專業知識與技術領導力，科林研發正協助客戶將平面 DRAM 製程技術推進至次 10 奈米節點。
AI 正推動對
高效能 DRAM 的需求
人工智慧加速器能同步執行大量數學運算，但只有在資料同樣高速傳送時，才能全速運作。 DRAM 作為工作記憶體，負責為這類晶片提供資料支撐。
隨著模型規模日益擴大且提示資訊變得更長，系統需要：
- 更高頻寬，保障加速器滿載執行
- 更大的容量以存放參數和激活參數
- 更低的延遲以實現更快速回應
- 更高能效，控制功率消耗和營運成本
結果是，現代人工智慧工作量越來越依賴記憶體。 要滿足這些需求，必須依靠先進的 DRAM 及先進製程技術的支援，才能釋放全部效能。
應對日益增長的記憶體需求
要支援這些快速進化的工作量，將需要更高密度、更複雜的架構以及全新的整合方法。 產業變革——例如更緊密的單元佈局以及 CMOS 與記憶體晶圓鍵合，使金屬布線層數增加一倍以上——進一步提升了對高精度圖案化、蝕刻，以及具備卓越深度均勻性與輪廓控制的無空隙等向填充的要求。
DRAM 客戶對規格精度、均勻性與穩定效能的要求不斷提升。 這些正是科林研發產品組合所針對的製程關鍵痛點（Akara® 蝕刻、Aether® 乾式光阻、ALTUS® Halo 鉬填充、Striker® 原子層沉積），這也是我們能夠推動持續 2D 微縮並支援客戶3D DRAM 的技術轉型藍圖。
科林研發如何 持續推動演進
在延續我們於 NAND 領域的成功並認識到DRAM所面臨的獨特挑戰的同時，科林研發正提供關鍵的製程技術，推動次世代 DRAM 的實現。 我們獨具優勢的產品組合 － Akara、Aether、Halo、Striker － 憑藉卓越的精度、均勻性與整合能力，滿足記憶體製造中最嚴苛的規格要求。
我們也正積極透過以下方式投資於 DRAM的未來：
- 與 imec、大學（德州大學的 TIE、台灣國立交通大學）及 Resonac 的策略合作。
- 在材料科學與製程技術上持續創新，以因應未來的科技轉折。
- Lam Capital 投資於與我們產品組合互補的新興企業。
我們的解決方案
科林研發的 DRAM 解決方案針對圖案化、蝕刻與沉積等關鍵挑戰，協助客戶自信地發展 2D DRAM 並為 3D 架構做好準備。
我們在 DRAM 領域的戰略重點包括：
- （平面 DRAM 製程）採用 EUV（Aether）實現次 10 奈米圖案化
- （平面 DRAM製程）透過次 10 奈米矽蝕刻形成電晶體（Kiyo® → Akara）
- （平面 DRAM 製程）無彎曲間隙填充（Striker）、低介電常數間隔層（Striker SPARC）
- （3D DRAM 製程）– 針對 Si/SiGe 的超高深寬比蝕刻（Akara）
- （3D DRAM 製程）– 超高深寬比氧化物填充（Striker，Halo）
- (HBM 製程) – TEOS® 3D、SABRE®、Syndion® 蝕刻設備
- 實現形狀控制與整合的晶背沉積
- 高深寬比結構下的製程均勻性
Akara®
Akara 專為大量生產所設計，實現最大製程良率，增加晶圓產量，並消除時間浪費，對任何變化的反應時間僅為毫秒。 業界最先進的蝕刻均勻度控制能力，可提供埃米級關鍵尺寸均勻性和晶圓到晶圓的可重複
STRIKER系列產品
利用先進的ALD技術，這些產品可為介電層薄膜提供優異的控制能力，以建構關鍵製程中具備奈米級結構的先進元件。