Lam은 차세대 DRAM 기술을 선도하고 있습니다
PC, 노트북, 핸드폰, 데이터센터 시장의 지속적인 성장에 힘 입어 DRAM은 10나노미터급 6세대 공정인 1-감마(1-gamma) 시대로 진입했습니다. 전력, 속도, 집적도 요구를 충족하기 위해 DRAM 제조업체들은 셀 아키텍처를 6F²에서 4F²로 전환하며 평면 로드맵을 지속적으로 확장해, 2028년까지 10nm 미만 공정으로 나아갈 것으로 예상됩니다.
수십 년간 축적된 전문성과 기술 리더십을 바탕으로, Lam은 고객이 평면 DRAM 기술을 10nm 미만 노드까지 발전시킬 수 있도록 지원하고 있습니다.
AI는
고성능 DRAM에 대한 수요를 확대하고 있습니다.
인공지능 가속기는 방대한 양의 연산을 병렬로 처리할 수 있지만, 데이터가 이에 상응하는 속도로 공급될 때만 최대 성능을 발휘합니다. DRAM은 이러한 칩에 데이터를 공급하는 작업 메모리 역할을 합니다.
모델이 커지고 프롬프트가 길어질수록, 시스템에는 다음과 같은 요구가 생깁니다:
- 가속기를 지속적으로 가동하기 위한 더 높은 대역폭
- 파라미터와 활성화 데이터를 저장하기 위한 더 큰 용량
- 더 빠른 응답을 위한 낮은 지연 시간
- 전력 및 운영 비용을 관리하기 위한 향상된 에너지 효율
그 결과, 최신 AI 워크로드는 점점 더 메모리 의존적인 특성을 보이고 있습니다. 이러한 요구를 충족하려면, 최고 수준의 공정 기술로 제작된 첨단 DRAM이 필요하며, 이를 통해 성능을 극대화할 수 있습니다.
증가하는 메모리 수요 충족
빠르게 진화하는 워크로드를 지원하려면 더 높은 집적도와 복잡한 아키텍처, 그리고 새로운 통합 접근 방식이 필요합니다. 셀 레이아웃의 고밀도화와 금속 배선 레벨을 두 배 이상 늘리는 CMOS-메모리 웨이퍼 본딩 등, 업계의 변화로 인해, 정밀 패터닝, 식각, 그리고 뛰어난 깊이 균일성과 프로파일 제어를 갖춘 빈틈 없는 컨포멀 필에 대한 요구를 한층 더 강화하고 있습니다.
DRAM 고객들은 더 엄격한 사양, 높은 균일성, 그리고 입증된 성능을 요구합니다. 이것이 바로 Lam의 포트폴리오(Akara® etch, Aether® dry resist, ALTUS® Halo molybdenum fill, Striker® ALD)가 겨냥하는 핵심 과제이며, Lam이 지속적인 2D 스케일링을 가능하게 하고 3D DRAM 전환을 위한 고객 로드맵을 지원할 수 있는 이유입니다.
램리서치가 지속적인 진화를 가
능하게 하는 방법
Lam은 NAND에서의 성공을 바탕으로 DRAM만의 고유한 과제를 인식하며, 차세대 DRAM을 구현하는 데 필요한 핵심 공정 기술을 제공하고 있습니다. Akara, Aether, Halo, Striker로 구성된 차별화된 포트폴리오는 메모리 제조에서 요구되는 가장 까다로운 사양을 충족할 수 있는 정밀성, 균일성, 그리고 뛰어난 통합 역량을 제공합니다.
Lam은 다음과 같은 방식으로 DRAM의 미래에 적극 투자하고 있습니다:
- imec, 대학(텍사스대학교 TIE, 대만 NCTU), Resonac과의 전략적 협력
- 미래의 변곡점에 대응하기 위한 소재 과학 및 공정 기술의 지속적인 혁신
- 당사 포트폴리오를 보완하는 신생 기업에 대한 Lam Capital의 투자
램리서치의 솔루션
Lam의 DRAM 솔루션은 패터닝, 식각, 증착 분야의주요핵심 과제를 해결하여 고객이 2D DRAM을 확장하고3D 아키텍처를 자신 있게 준비할 수 있도록 지원합니다.
DRAM에 대한 우리의 전략적 집중 분야는 다음과 같습니다:
- (평면 DRAM) EUV(Aether)를 이용한 10nm 미만 패터닝
- (평면 DRAM) 트랜지스터 형성을 위한 10nm 미만 Si 에칭(Kiyo® → Akara)
- (평면 DRAM) 비굴곡 갭필(Striker), low-k 스페이서(Striker SPARC)
- (3D DRAM) – Si/SiGe용 초고 종횡비 A/R 에칭(Akara)
- (3D DRAM) – 초고 종횡비 산화막 갭필(Striker, Halo)
- (HBM) – TEOS® 3D, SABRE®, Syndion® 에처
- 형상 제어 및 집적을 위한 백사이드 증착
- 고종횡비 구조 전반에 걸친 공정 균일성
Akara®
Akara®는 밀리초 단위로 단축한 공정 반응 시간을 통해 웨이퍼 출력을 증가시키고, 낭비되는 시간을 줄여 최대의 공정 수율을 제공합니다. 업계에서 가장 앞선 식각 균일성 제어 기술로 옹스트롬 수준의 높은 균일성과 웨이퍼 간 반복성을 제공합니다.
Striker 제품군
첨단 ALD 기술을 사용하여 나노 수준의 피처가 있는 고급 소자의 주요 공정을 완벽하게 제어하는 유전막을 제공합니다.