Akara® - Lam Research

Akara®

未來的元件架構將需要超越當今最先進電漿蝕刻技術的蝕刻能力,以實現人工智慧時代的到來。

新型邏輯電晶體(例如 CFET)和新型記憶體架構(例如 4F2 和 3D DRAM)要求極致的蝕刻效能,以塑造越來越精確的三維結構,這些結構必須在單一 300mm 晶圓上進行數萬億次的完美匹配。 為了應對這些 3D 元件的製造挑戰,IC 製造商需要透過世代推動創新,不斷提升其電漿蝕刻能力。

Akara 大圖

Akara® 簡介

憑藉二十多年來在導體蝕刻市場的領導地位,Akara® 實現了革命性的創新。 Akara® 使用業界首創 DirectDrive® 的固態電漿源,可實現過往不可行的蝕刻製程控制和反應。 DirectDrive® 對形成複雜 3D 結構所需的製程變化的反應速度,比以前的電漿源快上 100 倍。 與專有的離子能量控制和電漿脈衝系統相結合後,Akara® 可提供未來 CFET 邏輯電晶體和 3D DRAM 通道所需的效能。 Akara® 專為大量生產所設計,實現最大製程良率,增加晶圓產量,並消除時間浪費,對任何變化的反應時間僅為毫秒。 業界最先進的蝕刻均勻度控制能力,可提供埃米級關鍵尺寸均勻性和晶圓到晶圓的可重複性。

特色 + 優勢

基於超過 30,000 個 Kiyo 腔體成功投入生產的經驗,Akara:

  1. 以業界領先的速度和超高精度在超小空間進行蝕刻,實現更高深寬比和關鍵尺寸。
  2. 旨在改善永續性、效率和整體擁有成本。
    • 新的電漿源技術和更好的蝕刻效率可減少與晶片製造相關的能源足跡。

Akara® 繼承了 Kiyo® 的傳統,開啟了科林研發在導體蝕刻創新與領導地位的歷史新篇章,提供先進技術滿足未來需求。

Akara 的影像特寫,正面顯示科林研發標誌。

產品

  • Sense.i® 平台

主要應用

  • 3D NAND
  • CFET
  • 3D DRAM

其他資源

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