未来的器件架构将需要超越当今最先进等离子刻蚀技术的刻蚀能力才能支持 AI 时代。
新型逻辑晶体管（例如 CFET）和新型存储器架构（例如 4F2 和 3D DRAM）要求刻蚀性能达到新的极限，以便塑造和形成必须在单个 300mm 晶圆上完美匹配数万亿次的、越来越精确的三维结构。 为了应对形成这些 3D 器件的挑战，IC 制造商需要一代代提升其等离子刻蚀能力。
Akara® 简介
凭借二十多年在导体刻蚀市场的领导地位，Akara® 实现了革命性的飞跃。 Akara® 首次使用称为 DirectDrive® 的固态等离子源来实现以前无法实现的刻蚀工艺控制和响应性。 DirectDrive® 能够比以前的等离子源快 100 倍以上的速度响应形成复杂 3D 结构所需的工艺变化。 在与专利的离子能量控制和等离子脉冲系统相结合时，Akara® 可提供未来 CFET 逻辑晶体管和 3D DRAM 通道所需的性能。 Akara® 旨在实现具有最大工艺良率的大批量生产，可提高晶圆产量并消除时间浪费，其对任何变化的响应时间均为毫秒级。 行业最先进的刻蚀均匀性控制可提供埃米级关键尺寸下的均匀性和晶圆间可重复性。
特点 + 优势
基于超过 30,000 个目前正在运行的Kiyo 腔室的传统和经验，Akara：
- 以更高深宽比和关键尺寸的超实现空间刻蚀——以行业领先的速度和超高精度完成。
- 旨在提高可持续性、效率和总拥有成本。
- 新的等离子源技术和更好的刻蚀效率可减少与芯片制造相关的能源足迹。
Akara® 继承了 Kiyo® 的传统，提供先进的技术来满足未来需求，在泛林集团的导体刻蚀创新与领导地位的历史中翻开了新的篇章。
产品
- Sense.i® 平台
主要应用
- 3D NAND
- CFET
- 3D DRAM
额外资源
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Everything About Akara