Die datenintensiven KI-Anwendungen von heute erfordern erhebliche Fortschritte in der Speichertechnologie – insbesondere bei NAND-Flash-Speichern – und schnellere Datenübertragungsgeschwindigkeiten. Der steigende Bedarf an Rechenleistung führt zu einem höheren Stromverbrauch bei der Datenübertragung in Speichersystemen. Chiphersteller müssen für 3D-NAND auf 200 Schichten und darüber hinaus skalieren, um die Kosten pro Bit zu senken und gleichzeitig die Umweltauswirkungen zu reduzieren.
Das kryogene Ätzen bei niedrigen Temperaturen ermöglicht den Einsatz innovativer, neuartiger chemischer Verfahren, die Ätzprozesse mit höchsten Aspektverhältnissen ermöglichen. Die Kryotechnik ermöglicht höhere Ätzraten, vertikale Profile mit hohem Aspektverhältnis und reduziert die Umweltbelastung infolge des Ätzprozesses.
Durch den Einsatz firmeneigener und einzigartiger Technologien hat Lam das Channel-Hole-Ätzen im Laufe der Zeit perfektioniert, und zwar durch:
- Kryogenes Ätzen mit hohem Aspektverhältnis: Gleichmäßiges Tiefenätzen ermöglicht mehr Bits pro Zelle
- Skalierung der Wordline-Abstände: Dünnere Oxid-/Nitrid-Abscheidungsschichten ermöglichen mehr Bits pro Bauelement VECTOR® PECVD (hochproduktives Oxid-Gap-Fill) und ALTUS® W (Wolframfüllung mit hohem Aspektverhältnis und geringer Spannung)
- Erweiterte Wordline-Metallisierung: Metall mit geringerem Widerstand ermöglicht dünnere Verbindungen und schnellere Bauelemente. VECTOR® Strata® (gleichmäßige Ox/SiN-Schichtkontrolle mit geringer Spannung), Kiyo®, Halo (Void-freie Mo-Füllung mit hohem Aspektverhältnis (HAR))
- Ausgleich von Spannungen über den gesamten Wafer: Die Abscheidung auf der Rückseite steuert die Wafer-Durchbiegung und ermöglicht höhere Bauelemente. Coronus® DX (hochselektive Schrägfilmabscheidung), VECTOR® DT (gleichmäßiger rückseitiger Film zum Ausgleich der Wafer-Durchbiegung) und EOS® (hochproduktives Rückseitenfilmätzen)
Mit diesen Technologien ermöglicht Lam es seinen Kunden, nahezu perfekte Memory-Hole-Ätzprofile mit hohem Durchsatz und geringer Umweltbelastung zu erzielen.
Speicher im Zeitalter der KI
Der Weg zum 3D-NAND mit 1.000 Schichten
Zusätzliche Ressourcen
Introducing Lam Cryogenic Etching
