Wafer-Nassreinigung wird zwischen Chip-Fertigungsschritten eingesetzt, um Rückstände zu entfernen und Defekte am Chip zu minimieren. Die fortschreitende Miniaturisierung der Bauelemente, immer komplexere Strukturen und neue Werkstoffe bringen zusätzliche Herausforderungen für die Vermeidung von Mängeln und Defekte mit sich und treiben auch die Notwendigkeit für verbesserte Wafer-Reinigungsproduktivität voran.
Mit den neuesten Nassreinigungsprodukten von Lam liefert EOS® außergewöhnlich niedrige On-Wafer-Defektivität und hohen Durchsatz, um den zunehmend anspruchsvollen Wafer-Reinigungsanwendungen gerecht zu werden, einschließlich der entstehenden 3D-Strukturen.
Wafer-Reinigung ist eine äußerst wichtige Funktion, die bei der Halbleiterfertigung viele Male wiederholt werden muss. Da die Strukturbreiten unter 10 nm sinken und neue Werkstoffe eingeführt werden, wächst die Zahl der Reinigungsschritte mit aggressiver Schnelligkeit. Immer aufwendigere Reinigungsvorgänge führen zu längeren Fertigungszeiten und zur Notwendigkeit größerer Produktivität insgesamt. Fortschrittliche Reinigungsschritte werden benötigt, um den zusätzlichen technischen Anforderungen gerecht zu werden. Mehrfache Strukturierungsansätze verlangen beispielsweise nach makelloser Trocknung und schadensfreier Partikelentfernung. Reinigungsvorgänge, mit denen Werkstoffverluste kontrolliert werden, sind für FinFET, 3D NAND und anderen 3D-Bauelemente äußerst wichtig. Um Waferkrümmung und Spannungsstress in 3D NAND Strukturen modulieren und regulieren zu können, ist es erforderlich, Filme von der Waferrückseite zu entfernen und kontrollierte Profile sicherzustellen.