- Volle Modularität auf minimaler Grundfläche – erweiterbare Plattform zur Unterstützung der steigenden Nachfrage
- Verarbeitung von 3-Zoll- bis 300-mm-Wafern, Flachplattenverarbeitung bis zu 300x300 mm
- Verarbeitung von verschiedenen Substratgrößen auf einer Plattform
- Patentierte Hochgeschwindigkeits-Beschichtungstechnologie
- Gleichmäßige Leistung beim Beschichten und Ätzen
- Endpunktüberwachung für höchste Produktqualität
- Bereit für ein Online-Dosier- und Chemikalienüberwachungssystem (intern/extern)
- Individuell an den gewünschten Prozess und die Fertigungsumgebung angepasste Tool-Konfigurationen
- Triton CX
- Triton CM
- Elektrochemische Abscheidung von Cu, Ni, SnAg, Au und anderen Stoffen auf Bumps, Säulen, Pads, RDL, TSV, FLI
- Ablösung
- Metall-, UBM-, Oxid-Ätzen
- Rückseitiges Fasen-Ätzen
- Fotolack-Strippen, Fotolack-Entwicklung
Triton-Produktfamilie
Products
Elektrochemische Abscheidung (ECD) Nassreinigung/Strippen/Ätzen
Die Triton-Plattform ist eine vielseitige und modulare Lösung für die Beschichtung einzelner Wafer sowie die Nassbearbeitung. Ihr Design macht dieses System zur ersten Wahl für die Forschung und Entwicklung. Zudem lässt es sich erweitern, um die Produktion hoher Stückzahlen zu unterstützen.
Die Plattform ermöglicht die Verarbeitung von Säuren und Lösungsmitteln in einem System. Das macht Triton zu einer idealen Lösung, um verschiedene Prozessschritte auf kleinstem Raum durchzuführen.
Die elektrochemische Abscheidung mit patentierter Beschichtungstechnologie ermöglicht eine überragende Gleichmäßigkeit und Ausbeute, die der wachsenden Marktnachfrage nach Feinleiter-Beschichtung entspricht.
Industry Challenges
Zukünftige fortschrittliche Chip-Layouts erfordern Technologien, die eine kontinuierliche Verkleinerung der Feature-Designs unterstützen. Während der Erzeugung der Verbindungsschichten sorgen fortschrittliche Beschichtungslösungen für eine defektfreie Metallisierung.
Die kontinuierliche Ausdünnung des Barriere-/Seed-Stapels zusammen mit der Schrumpfung der Leiterbahnbreite erfordert eine immer strengere Prozesskontrolle, um eine ausreichende Bottom-up-Füllrate zu erreichen und gleichzeitig die Seed-Schicht zu schützen. Das umfassende Spektrum an Funktionsgeometrien in einer einzigen Logikschicht erfordert ein breites Prozessfenster, um die ordnungsgemäße Füllung von Strukturen mit großen Variationen in Bezug auf Seitenverhältnis, Seed-Abdeckung und Dichte zu gewährleisten.