我们已经进入人工智能 (AI) 时代，器件更为复杂、需要半导体行业进行变革性转变和突破性创新。 对更先进计算能力的需求正在大幅增加，当今的芯片制造商正在规模化竞争中不断突破可能的界限。
随着 NAND、DRAM 和逻辑器件特征要求的改变，需要不同的沉积技术。 传统的金属化方案无法满足这些微缩要求，因此整个行业正在所有三种前沿 IC 器件类型中实施钼 (Mo) 的金属化。
有关钼的案例
各种金属都被纳入考虑，但钼尤其有发展前景，因为它符合先进存储器和逻辑器件所需的原子尺寸。 采用钼的一个常见推动因素是其薄膜电阻率，这是金属器件微缩所必需的。
与钨 (W) 和许多其他金属不同，钼不需要粘合层或阻挡层来防止电流泄漏，从而可避免电气短路。 这有助于简化工艺，并有可能通过省去额外的步骤和设备来降低成本。
过渡到钼的解决方案
可使用 ALD 沉积钼，以便更好地填充实现器件特征。 或者，可使用非氟化卤化物前体来沉积钼，以避免在某些钨应用中造成的电介质损坏。 此外，钼回刻和化学机械平坦化 (CMP) 工艺是使用已知的化学方法和设备完成的，可更快地集成到晶圆厂工艺流程中。
但是，要使钼在使用 ALD 设备的制造中变得可行，需要进行重大创新。 这些挑战包括：
- 能够施加高温
- 实现先进的反应器和工艺序列设计
- 能够精确控制晶圆温度
- 通过各种化学处理提供钼固体前体的批量输送
泛林集团在开发 ALD 的创新技术以推动钼的采用方面处于领先地位。通过充分利用深厚的知识积累和研究、设备设计、单元工艺性能，以及跨设备和应用的集成，我们推出了最新的 ALD 创新，ALTUS® Halo。
用于电阻微缩的 ALTUS® Halo 简介
ALTUS® Halo 基于泛林集团已安装机台——也是3D NAND 字线金属化使用最多的机台设计，ALTUS® Halo 基于泛林集团的已安装机台群——也是3D NAND 字线金属化使用最多的机台设计的最大安装群，持续支持芯片制造商为未来进行创新。 我们值得信赖的下一代 ALTUS 产品线为 3D NAND、DRAM 和逻辑器件提供了解决方案。
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额外资源
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Everything About ALTUS Halo