在人工智慧和邊緣計算的競賽中，半導體產業面臨著前所未有的挑戰： 製造具有極小特徵的晶片，同時確保每個微小元件都準確地落在其應在的位置。
業界實現這些創新的能力取決於我們在越來越小的節點上大量生產晶片的能力。
這一挑戰在圖案化過程中體現得尤為明顯——這是將微電路設計轉移到矽晶圓上的關鍵階段。
革命性的先進圖案化
Aether 是我們突破性的乾式光阻技術，以乾式製程為根基，重新構思光阻製程，打破了在晶圓上印刷微電路設計的幾個關鍵權衡取捨。
憑藉這種嶄新的真空方法，Aether 擴展了單一印刷圖案化。 此技術可降低創建下一代晶片所需的精密圖案的成本和複雜性。
此外，該技術的金屬有機化合物在極紫外光（EUV）微影過程中吸收的光比傳統碳基光阻材料多三到五倍，可大幅降低成本並提高效能。
特色 + 優勢
- 增強的光子吸收和精確圖案化，使製造商能夠在先進節點上維持單一印刷圖案化。
- 與傳統的雙重圖案化方法相比，其成本是單一印刷圖案化的 1.5－2 倍。
- 透過減少製程步驟並提高單一印刷圖案化的保真度，Aether 可簡化生產流程，從而提高產量。
- 更高的精度可建立更密集、更快的記憶體陣列，以滿足人工智慧對資料日益增長的需求。
- 大幅減少了化學品的使用，創造出更環保的解決方案。
科林研發的乾式光阻技術代表了我們對建立現代運算基石的重新思考。 將 Aether 搭配科林研發 EUV 圖案化解決方案，能夠以最低的成本為業界實現圖案化，突破物理學的界限，並實現人工智慧的未來。
其他資源
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Breakthrough EUV Dry Photoresist Technology from Lam Research Adopted by Leading Memory Manufacturer