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DSiE PRODUKTFAMILIE
Tiefes reaktives Ionenätzen (DRIE)
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DSiE PRODUKTFAMILIE
Bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen (ICs) ist Ätztechnologie notwendig, um die komplizierten Strukturen eines Chips zu formen. Bei der Herstellung von mikro-elektromechanischen Systemen (MEMS) wird dieser Vorgang verwendet, um vielfältigste Strukturen auszubilden, beispielsweise große Hohlräume und tiefe Ätzgräben mit hoher Streckung (HAR).
Lams DSiE™-Produktfamilie ermöglicht außerordentliche Prozesssteuerung mit hoher Produktivität für verschiedene kritische und nicht-kritische Anwendungen von Siliziumtiefenätzen, einschließlich MEMS, Leistungshalbleiter, passive Komponenten, Sensoren und Umwandler.
Herausforderungen für die Industrie
In der MEMS-Industrie sind die zahlreichen Strukturformen, die mit Ätzen erzeugt werden, jeweils mit unterschiedlichen Prozesskriterien verbunden. Für kritische Anwendungen, beispielsweise Strukturen für Gyroskope und Trägheitssensoren, ist eine exakte Kontrolle und Steuerung von Ätzprofilwinkel, Neigung, Asymmetrie und Gleichförmigkeit erforderlich. Semikritische Silizium-Durchkontaktierungen (TSVs), die für das dreidimensionale Packaging dieser Bauelemente verwendet werden oder das Grabenätzen bei Leistungshalbleitern benötigen ausgezeichnete Profilwinkel und Tiefengleichförmigkeit. Nicht kritische MEMS-Anwendungen, wie Cap Etch beim Wafer-level Packaging (WLP), benötigen einen hohen Durchsatz, Tiefengleichförmigkeit und glatte Seitenwände. Es ist eine ziemliche Herausforderungen, diese weit gefächerten Kriterien fürs Ätzen zu erfüllen und gleichzeitig eine hohe Produktivität aufrecht zu erhalten. Eine weitere Hauptanforderung ist die Erreichung von Kosteneffizienz aufgrund der mengenmäßig kleinen Fertigungslosgrößen für viele dieser Bauteile.
Wichtige Kundenvorteile
- Hohe Ätzraten und Produktivität mit Flexibilität, um sowohl Bosch- als auch steady-state Prozesse zu nutzen
- Einstellbare Tiefengleichförmigkeit durch Gasflussanteil und mit Umwandler gepaarte kapazitive Steuermöglichkeiten
- Hochentwickelte Prozesssteuerung für verbesserte Symmetrie und Neigungsminimierung
- Steuerbare CD durch schnellen Gaswechsel
Produktangebot
- DSiE™ III
- DSiE™ F Series
- DSiE™ G Series
Hauptanwendungsbereiche
- Siliziumtiefätzen für MEMS (Graben, Hohlraum)
- Silizium-Grabenätzen für Leistungshalbleiter
- Silizium-Durchkontaktierung für WLP