DSIE 제품군
Products
Deep Reactive Ion Etch (DRIE)
Analog & Mixed Signal, Discrete & Power Devices, Optoelectronics & Photonics, 센서 및 트랜스듀서
식각(Etch) 기술은 모든 집적 회로(IC)의 생산에서 칩의 복잡한 피처를 형성할 때 필요합니다. 미세전자기계시스템(MEMS) 제조 공정에서는 큰 캐비지와 가로세로 비율이 큰(HAR) 딥 트렌치 같은 물리적 구조물을 형성하는 다양한 피처를 새길 때 사용합니다.
램리서치의 DSiE™ 제품군은 MEMS, 전력 소자, 수동 소자, 센서, 변환기 등 여러 주요 및 비주요 딥 실리콘 식각 부문에서 높은 생산성으로 공정을 완벽하게 제어합니다.
Industry Challenges
MEMS 부문에서는 식각으로 만든 수많은 피처 형상마다 공정 기준이 서로 다릅니다. 자이로스코프(gyroscope)와 관성 센서용 구조물 같은 주요 부문에서는 뛰어난 식각 프로파일 각도, 틸트, 비대칭, 균일 제어가 필요합니다. 이러한 소자의 3차원 패키징에 사용되는 준주요 실리콘 관통 전극(TSV)은 전력 소자의 트렌치 식각처럼 프로파일 각도와 깊이가 균일해야 합니다. 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 캡 식각 같은 비주요 MEMS 부문에서는 높은 처리량, 깊이의 균일성, 측벽 평활도가 요구됩니다. 높은 생산성을 유지하면서 이렇게 광범위한 식각 기준을 충족하기란 매우 어렵습니다. 이 다양한 소자들의 소용량 생산 가동 때문에 비용 효율을 달성하는 것 역시 어렵습니다.
Key Customer Benefits
- Bosch와 안정적인 공정을 도입해 높은 식각률과 생산성 및 유연성까지 구현
- 가스 유량비와 트랜스 결합 용량 튜닝 능력으로 깊이의 균일성 구현
- 앞선 기술을 통해 대칭 및 틸트 최소화
- 빠른 가스 전환을 통해 튜너블 CD 구현
Product Offerings
- DSiE™ III
- DSiE™ F 시리즈
- DSiE™ G 시리즈
Key Applications
- MEMS용 딥 실리콘 식각 (트렌치, 캐비티)
- 전력 소자용 실리콘 트렌치 식각
- WLP용 실리콘 관통 전극