DSiE Product Family - Lam Research

DSiE Product Family

DSiE Product Family

Products

所有集成电路生产都需要利用刻蚀技术形成芯片中错综复杂的各式结构。在微机电系统(MEMS)生产工艺中,刻蚀技术则被用于刻出形式多样的形貌,从而形成特定的物理结构,如大空腔和高深宽比 (HAR) 深沟槽。

泛林集团DSiE™产品系列为多种关键和非关键深硅刻蚀应用的高效率生产提供出色的工艺控制,这些应用包括MEMS、功率器件、无源元件和传感器等。


Industry Challenges

在MEMS行业,通过刻蚀技术形成的众多物理结构需要满足不同的工艺标准。对于陀螺仪、惯性传感器等关键应用,需要实现对刻蚀轮廓、倾角、非对称性和均一性的精确控制。这些器件三维封装中,次关键的硅通孔(TSV)必须具有出色的剖面角度和深度均一性,这与功率器件沟槽刻蚀的工艺要求相同。硅片级封装 (WLP)电容刻蚀等非关键MEMS应用需要高产率、深度均一性和侧壁平滑度。在维持高生产效率的同时,还要满足诸多刻蚀工艺要求,这是一个很大的挑战。另一个关键挑战是如何实现成本效益,因为这些器件中有许多器件为小规模生产.

Key Customer Benefits

  • 高刻蚀速率和高生产效率,且具有灵活性,可同时使用Bosch的工艺和稳态工艺
  • 通过气流配比和电感耦合容性调谐功能实现可控的深度均一性
  • Advanced control for improved symmetry and tilt minimization高级控制功能,可提高对称性并尽量减小图形角度偏差
  • • 通过快速气体切换实现可控的临界尺寸

Product Offerings

  • DSiE™ III
  • DSiE™ F Series
  • DSiE™ G Series

Key Applications

  • MEMS深硅刻蚀 (沟槽、空腔)
  • 功率器件硅沟槽刻蚀
  • 硅片级封装硅通孔
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