Industry Challenges
在MEMS行业，通过刻蚀技术形成的众多物理结构需要满足不同的工艺标准。对于陀螺仪、惯性传感器等关键应用，需要实现对刻蚀轮廓、倾角、非对称性和均一性的精确控制。这些器件三维封装中，次关键的硅通孔（TSV）必须具有出色的剖面角度和深度均一性，这与功率器件沟槽刻蚀的工艺要求相同。硅片级封装 （WLP）电容刻蚀等非关键MEMS应用需要高产率、深度均一性和侧壁平滑度。在维持高生产效率的同时，还要满足诸多刻蚀工艺要求，这是一个很大的挑战。另一个关键挑战是如何实现成本效益，因为这些器件中有许多器件为小规模生产.
Key Customer Benefits
- 高刻蚀速率和高生产效率，且具有灵活性，可同时使用Bosch的工艺和稳态工艺
- 通过气流配比和电感耦合容性调谐功能实现可控的深度均一性
- Advanced control for improved symmetry and tilt minimization高级控制功能，可提高对称性并尽量减小图形角度偏差
- • 通过快速气体切换实现可控的临界尺寸
Product Offerings Pro
- DSiE™ III
- DSiE™ F Series
- DSiE™ G Series
Key Applications
- MEMS深硅刻蚀 （沟槽、空腔）
- 功率器件硅沟槽刻蚀
- 硅片级封装硅通孔