DSIE系列產品

DSIE系列產品

Products

所有的積體電路(IC)生產都需要利用蝕刻技術來製作晶片的精細特徵。對微機電系統(MEMS)製程來說,它被用來刻出不同變化的尺寸以形成各種的物理結構,例如大的空腔(cavity)和高深寬比(HAR)的深溝槽。

Lam Research的DSiE™系列產品能以卓越的製程控制提高深矽晶蝕刻應用的生產力,包括MEMS、功率元件、被動元件、感測器和傳感器。


Industry Challenges


在MEMS產業,每個利用蝕刻技術來產生的各種特徵形狀,都涉及不同的製程標準。對於關鍵性的應用,例如陀螺儀和慣性感測器等結構,需要優異的蝕刻輪廓角度、傾斜度、不對稱性和均勻度控制。對於次關鍵性的應用,例如矽穿孔(TSV)製程,在這些元件的三維封裝中與功率元件中的溝槽蝕刻一樣,需要良好的輪廓角度與深度均勻度。而非關鍵性的MEMS應用,例如晶圓級封裝(WLP)的覆蓋層(cap)蝕刻,需要高產量、深度均勻度、以及側壁平滑度。要滿足這些廣泛的蝕刻標準,並同時保持高生產力是非常具挑戰性的。成本效益是另一個重要挑戰,因為許多這些元件是以小量生產運作的。

KEY CUSTOMER BENEFITS


  • 高蝕刻速率和高生產力,並可靈活的同時使用Bosch和穩態(steady-state)製程
  • 深度的均勻度調整,可透過調整氣體流量比和變壓器耦合電容調變的功能來實現
  • 先進控制功能可改善對稱性並將傾斜問題最小化
  • 關鍵尺寸(CD)的調變可透過快速氣體切換來實現

Product Offerings

  • DSiE™ III
  • DSiE™ F 系列
  • DSiE™ G 系列

KEY APPLICATIONS

  • MEMS(溝槽、空腔)的深矽晶蝕刻
  • 功率元件的矽晶溝槽蝕刻
  • 晶圓級封裝(WLP)的矽穿孔(TSV)
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