DSIE系列產品
Products
深反應離子蝕刻（DRIE）
所有的積體電路(IC)生產都需要利用蝕刻技術來製作晶片的精細特徵。對微機電系統(MEMS)製程來說，它被用來刻出不同變化的尺寸以形成各種的物理結構，例如大的空腔(cavity)和高深寬比(HAR)的深溝槽。
Lam Research的DSiE™系列產品能以卓越的製程控制提高深矽晶蝕刻應用的生產力，包括MEMS、功率元件、被動元件、感測器和傳感器。
Industry Challenges
在MEMS產業，每個利用蝕刻技術來產生的各種特徵形狀，都涉及不同的製程標準。對於關鍵性的應用，例如陀螺儀和慣性感測器等結構，需要優異的蝕刻輪廓角度、傾斜度、不對稱性和均勻度控制。對於次關鍵性的應用，例如矽穿孔(TSV)製程，在這些元件的三維封裝中與功率元件中的溝槽蝕刻一樣，需要良好的輪廓角度與深度均勻度。而非關鍵性的MEMS應用，例如晶圓級封裝(WLP)的覆蓋層(cap)蝕刻，需要高產量、深度均勻度、以及側壁平滑度。要滿足這些廣泛的蝕刻標準，並同時保持高生產力是非常具挑戰性的。成本效益是另一個重要挑戰，因為許多這些元件是以小量生產運作的。
Key Customer Benefits
- 高蝕刻速率和高生產力，並可靈活的同時使用Bosch和穩態(steady-state)製程
- 深度的均勻度調整，可透過調整氣體流量比和變壓器耦合電容調變的功能來實現
- 先進控制功能可改善對稱性並將傾斜問題最小化
- 關鍵尺寸(CD)的調變可透過快速氣體切換來實現
Product Offerings
- DSiE™ III
- DSiE™ F 系列
- DSiE™ G 系列
Key Applications
- MEMS(溝槽、空腔)的深矽晶蝕刻
- 功率元件的矽晶溝槽蝕刻
- 晶圓級封裝(WLP)的矽穿孔(TSV)