字线金属化 – 过渡到钼

各种金属都被纳入考虑，但钼尤其有发展前景，因为它符合先进存储器和逻辑器件所需的原子尺寸。 采用钼的一个常见推动因素是其薄膜电阻率，这是金属器件微缩所必需的。

与钨 (W) 和许多其他金属不同，钼不需要粘合层或阻挡层来防止电流泄漏，从而可避免电气短路。 这有助于简化工艺，并有可能通过省去额外的步骤和设备来降低成本。

过渡到钼的解决方案

可使用 ALD 沉积钼，以便更好地填充实现器件特征。 或者，可使用非氟化卤化物前体来沉积钼，以避免在某些钨应用中造成的电介质损坏。 此外，钼回刻和化学机械平坦化 (CMP) 工艺是使用已知的化学方法和设备完成的，可更快地集成到晶圆厂工艺流程中。

但是，要使钼在使用 ALD 设备的制造中变得可行，需要进行重大创新。 这些挑战包括:

• 能够施加高温
• 实现先进的反应器和工艺序列设计
• 能够精确控制晶圆温度
• 通过各种化学处理提供钼固体前体的批量输送

泛林集团在开发 ALD 的创新技术以推动钼的采用方面处于领先地位。通过充分利用深厚的知识积累和研究、设备设计、单元工艺性能，以及跨设备和应用的集成，我们推出了最新的 ALD 创新，ALTUS® Halo。