化學氣相沉積(CVD) 原子層沉積(ALD)
結合化學氣相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)技術,這些領先市場的系統可為先進的鎢金屬化應用沉積出所需之高度均勻一致的(conformal)薄膜。
原子層沉積(ALD)
利用先進的ALD技術,這些產品可為介電層薄膜提供優異的控制能力,以建構關鍵製程中具備奈米級結構的先進元件。