Akara®

AI時代を実現するために、将来のデバイスアーキテクチャは、現在、利用可能な最先端のプラズマエッチング技術を超えるエッチング性能を必要とします。

CFET などの新しいロジックトランジスタや、4F2 、 3D DRAM などの新しいメモリアーキテクチャは、300mm ウェハ全体で数兆個におよぶ、完璧に一致した極めて精密な 3 次元構造を形成する必要があるため、エッチング性能のさらなる極限を要求します。こうした3Dデバイスの形成に伴う課題を解決するため、プラズマエッチング技術の世代を超える飛躍が必要とされています。

Akaraのワイドショット映像

Akara^®のご紹介

過去20年以上におよぶコンダクター・エッチング市場のリーダーシップを礎に、Akara^® は革新的な進化を遂げました。 Akara^® は、DirectDrive^® と呼ばれる業界初のソリッドステート・プラズマ源を採用し、従来、実現することのできなかったプロセスの制御性と応答性を提供します。複雑な 3D 構造を形成する要求にこたえるためにDirectDrive^® は、従来のプラズマ源の100倍以上の応答速度でプラズマの変化に追随します。独自のイオンエネルギー制御およびパルスプラズマ技術と組み合わせることで、Akara^® は次世代の CFET ロジックトランジスタや 3D DRAM チャネルに必要な性能を実現します。 Akara^® は、大量生産の現場でプロセス歩留まりを最大限に高めるために設計されており、あらゆる変更に対してミリ秒単位の応答速度で対応し、ウェハの生産量を向上させ、無駄時間を排除します。業界最先端のエッチング均一性制御により、オングストロームレベルの寸法均一性とウェハ間の高い再現性を実現します。