오늘날 데이터 집약적인 AI 응용 분야에서는 메모리 기술, 특히 NAND 플래시 메모리의 더 빠른 데이터 전송 속도를 포함해 메모리 기술의 상당한 발전을 필수적으로 요구합니다. 컴퓨팅 수요의 증가는 메모리 시스템 내 데이터 전송을 처리하기 위한 전력 소비 증가로 이어집니다. 반도체 제조업체는 비용 절감을 위해 200층 이상의 3D NAND로 확장하는 것과 동시에 환경적 영향을 최소화해야 합니다.
저온 극저온 식각은 새로운 화학물질을 활용하여 더 높은 종횡비의 식각을 가능하게 합니다. 극저온 식각 공정은 식각 속도를 향상하고, 종횡비가 높은 수직 프로파일을 제공하며 식각 공정이 환경에 미치는 영향을 줄여줍니다.
램리서치는 독자적인 기술 및 차별화된 공정 솔루션을 활용하여 채널 홀(channel hole) 식각 기술을 지속적으로 발전시켜 왔습니다.
- 극저온 고종횡비 식각: 균일한 깊이의 식각으로 셀당 비트 수 증가
- 워드라인 피치 배율: 더욱 얇은 산화물/질화물 증착층을 통해 소자당 저장 가능한 비트 수를 늘리고 VECTOR® PECVD(높은 처리량의 산화물 갭 필링) 및 ALTUS® W(저응력 고종횡비 텅스텐 필링)에 적용합니다
- 고급 워드라인 금속화: 저항이 낮은 금속을 사용해 워드라인 연결부를 더욱 얇게 형성하고 소자의 속도를 향상합니다. Vector® Strata®(낮은 응력으로 균일한 산화물/질화물 증착 제어), Kiyo®, Halo(고종횡비(HAR) 구조에서 기공 없는 몰리브덴(Mo) 필링)
- 웨이퍼 응력 관리: 후면 증착을 통해 웨이퍼의 굽힘을 제어하고 더 높은 집적도의 소자 제조가 가능합니다. Coronus® DX(고선택성 베벨 박막 증착), Vector® DT(웨이퍼 굽힘 보정을 위한 균일한 후면 박막) 및 EOS®(높은 처리량의 후면 박막 식각)
이러한 기술을 통해 램리서치는 고객들이 높은 처리량과 낮은 환경 영향을 유지하며 거의 완벽에 가까운 메모리 홀 식각 프로파일 구현을 지원할 수 있게 되었습니다.
AI 시대의 스토리지 메모리
1,000층 3D NAND로의 진화
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램리서치의 극저온 유전체 식각 기술은 램리서치의 대표적인 Flex® 유전체 식각 기술 및 Sense.i® 플랫폼의 Vantex® 반응성 이온 식각 시스템과 호환되므로 고객은 이를 통해 기존 인프라에 대한 투자를 편리하게 활용하고 확장할 수 있습니다.
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