칩의 “두뇌”인 트랜지스터는 전기의 흐름을 제어하는 작은 스위치로, 단일 집적 회로 안에 수십 억 개가 들어갈 수 있습니다.더 작고, 더 강력한 전자장치에 대한 요구 때문에 3D FinFET 디자인 같은 새로운 트랜지스터 아키텍처가 개발되고, 고유전/금속 게이트 같은 특수 재료가 사용되고 있습니다. 이 덕분에 소자 피처의 크기는 계속 작아지고 있습니다.현재 최신 트랜지스터는 치수가 원자 수준이기 때문에 제조하기가 매우 어렵습니다.이러한 고급 소자에 요구되는 높은 성능을 실현시키기 위해서는 작은 피처를 매우 정밀하게 제어해 가며 만들 수 있는 제조 능력이 필요합니다.
램리서치 솔루션
Computing power has experienced exponential growth over the last 70 years. This has largely been achieved through transistor scaling. Due to a continuous reduction in the size of transistors, engineers have been able to pack more and more of them onto a single chip[1]. This has led to faster, more powerful, and more energy-efficient devices. Improvements in fabrication processes and materials, along with better circuit design techniques, have enabled this scaling. As transistors have become smaller and more densely packed, we have started to reach limitations caused by the laws of physics.
As transistor sizes shrink, short channel effects make it more difficult for transistor gates to turn a transistor ON and OFF [1]. One method to overcome this problem is to move away from planar transistor architectures toward 3D devices. Gate-all-around (GAA) architectures are an example of this type of 3D device [2]. In a GAA transistor, the gate oxide surrounds the channel in all directions. A key process during the fabrication of GAA transistors involves the channel release step.