SABRE 3D 系列產品

SABRE 3D 系列產品

Products

Electrochemical Deposition (ECD)

Packaging

高階晶圓級封裝(WLP)技術和矽穿孔通道(TSV)的結構常使用銅和其它金屬,以沉積製程打造出導電通道。這些微小的導電構件有助於縮小整體的元件尺寸,以製作出更小、速度更快、且功能更強大的行動電子產品。

SABRE® 3D系列產品結合了Lam Research通過驗證的 SABRE Electrofill®技術與更多的創新功能,能以優異的生產力提供晶圓級封裝(WLP)和矽穿孔(TSV)應用所需的高品質薄膜。


Industry Challenges

銅與其他金屬的電鍍技術已被廣泛用在多種先進的WLP應用中,例如形成凸塊(bump)與重新佈線層(RDL),以及用來填充TSV。雖然此技術與後段(BEOL)製程的銅鑲嵌(damascene)填充類似,但WLP和TSV上的電鍍厚度要大得許多 ─ 其沉積的薄膜厚度是微米級(10-6 m)與埃米級(10-10 m)的差異。這通常需要更長的沉積時間與多步驟製程,因此面臨的挑戰包括:需能在高電鍍速率條件下,提升晶圓均勻度與晶粒共面性(co-planarity)、降低擁有成本、減少晶圓缺陷、以及製作出可靠且無空隙(void-free)的微凸塊(microbump)和焊點。

Key Customer Benefits

  • 透過先進的電鍍單元技術,可實現更快的電鍍速率,而且無需犧牲晶粒和晶圓均勻度
  • 硬體與製程調整功能,可提升晶圓良率與整體產量
  • 具備可配置為多重電鍍和前/後處理單元的模組化架構,能為多樣化的封裝應用提供靈活性
  • 可為成本敏感環境提供更低的擁有成本,包括能大幅降低錫銀(SnAg)化學品成本的技術

Product Offerings

  • SABRE® 3D
  • SABRE® 3D xT

Key Applications

  • 矽穿孔(TSV)
  • 銅柱 (pillar)
  • 重新佈線層(RDL)
  • 凸塊底層金屬(UBM)
  • 有鉛或無鉛C4凸塊
  • 銅/錫銀和鎳/金的微凸塊(microbump)
  • 高密度扇出 (HDFO) 應用 (megapillar、RDL、2-in-1導孔、micropillars)
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