Products
SABRE 3D 系列產品
電化學沉積（ECD)
SABRE 3D 系列產品
高階晶圓級封裝(WLP)技術和矽穿孔通道(TSV)的結構常使用銅和其它金屬，以沉積製程打造出導電通道。這些微小的導電構件有助於縮小整體的元件尺寸，以製作出更小、速度更快、且功能更強大的行動電子產品。
SABRE® 3D系列產品結合了Lam Research通過驗證的 SABRE Electrofill®技術與更多的創新功能，能以優異的生產力提供晶圓級封裝(WLP)和矽穿孔(TSV)應用所需的高品質薄膜。
行业挑战
銅與其他金屬的電鍍技術已被廣泛用在多種先進的WLP應用中，例如形成凸塊(bump)與重新佈線層(RDL)，以及用來填充TSV。雖然此技術與後段(BEOL)製程的銅鑲嵌(damascene)填充類似，但WLP和TSV上的電鍍厚度要大得許多 ─ 其沉積的薄膜厚度是微米級(10-6 m)與埃米級(10-10 m)的差異。這通常需要更長的沉積時間與多步驟製程，因此面臨的挑戰包括：需能在高電鍍速率條件下，提升晶圓均勻度與晶粒共面性(co-planarity)、降低擁有成本、減少晶圓缺陷、以及製作出可靠且無空隙(void-free)的微凸塊(microbump)和焊點。
主要客户利益
- 透過先進的電鍍單元技術，可實現更快的電鍍速率，而且無需犧牲晶粒和晶圓均勻度
- 硬體與製程調整功能，可提升晶圓良率與整體產量
- 具備可配置為多重電鍍和前/後處理單元的模組化架構，能為多樣化的封裝應用提供靈活性
- 可為成本敏感環境提供更低的擁有成本，包括能大幅降低錫銀(SnAg)化學品成本的技術
產品
- SABRE® 3D
- SABRE® 3D xT
主要应用
- 矽穿孔(TSV)
- 銅柱 (pillar)
- 重新佈線層(RDL)
- 凸塊底層金屬(UBM)
- 有鉛或無鉛C4凸塊
- 銅/錫銀和鎳/金的微凸塊(microbump)
- 高密度扇出 (HDFO) 應用 (megapillar、RDL、2-in-1導孔、micropillars)