SABRE 3D シリーズ製品

業界の課題

銅やその他金属の電解メッキ工程は最新のWLP製造において、再配線層（RDL）やTSVの埋め込みや端子となるバンプの形成など、色々な場面で使われます。技術としては 後工程（back-end-of-line ：BEOL）のダマシン配線におけるCu埋め込みと似た工程なのですが、WLP やTSV における電解メッキはダマシン配線のオングストローム（10-10 m）単位に比べてミクロン（10-6 m）単位と遙かに広範囲に渡ります。そのため、成膜に時間が掛かる事や多段階のプロセスを踏むことも珍しくありません。ここではウェハ面内均一性やダイ内の共平面性を速いメッキレートで実現することが必要です。かつボイドが無く、信頼性の高いマイクロバンプやハンダ接合を低い保有コスト（CoO）と、最小の欠陥率で提供する事が求められています。これら全てを同時に達成しなければならないのは大きな技術課題です。

お客様の主なメリット

• 最新のメッキセルテクノロジーにより、高いダイ内均一性やウェハ面内均一性を速いメッキ速度で実現
• ダイ歩留まりや生産性を改善できるよう、ハードウェアやプロセスの調整機能を装備
• モジュール構造により、メッキセルやプリトリートメントセル、ポストトリートメントセルを自由に構成でき、パッケージングの様々な場面に適用可能な柔軟性
• SnAgメッキの原材料費を大幅削減する技術など、コスト重視に最適な低保有コスト（CoO）を実現