SABRE 3D シリーズ製品

SABRE 3D シリーズ製品

Products

Electrochemical Deposition (ECD)

Packaging

最先端のウェハレベル・パッケージ(Wafer-Level Packaging:WLP)※やシリコン貫通ビア(Through-Silicon Via:TSV)の電気配線を構築するのには銅やその他金属の成膜技術を用います。こうして導体を微細にすることで全体的なデバイス寸法を小さく出来ます。このおかげで小型かつ高速で強力なモバイル機器を造ることが出来るのです。

SABRE® 3D シリーズは、定評あるラムリサーチのSABRE Electrofill® 技術 に加え、更なる技術革新をもって、WLPや TSV が必要とする高品質な膜と高い生産性を提供します。

※ WLP:ダイシング前にウェハ形状のまま封止材、端子付けを行うパッケージ手法


Industry Challenges

銅やその他金属の電解メッキ工程は最新のWLP製造において、再配線層(RDL)やTSVの埋め込みや端子となるバンプの形成など、色々な場面で使われます。技術としては 後工程(back-end-of-line :BEOL)のダマシン配線におけるCu埋め込みと似た工程なのですが、WLP やTSV における電解メッキはダマシン配線のオングストローム(10-10 m)単位に比べてミクロン(10-6 m)単位と遙かに広範囲に渡ります。そのため、成膜に時間が掛かる事や多段階のプロセスを踏むことも珍しくありません。ここではウェハ面内均一性やダイ内の共平面性を速いメッキレートで実現することが必要です。かつボイドが無く、信頼性の高いマイクロバンプやハンダ接合を低い保有コスト(CoO)と、最小の欠陥率で提供する事が求められています。これら全てを同時に達成しなければならないのは大きな技術課題です。

Key Customer Benefits

  • 最新のメッキセルテクノロジーにより、高いダイ内均一性やウェハ面内均一性を速いメッキ速度で実現
  • ダイ歩留まりや生産性を改善できるよう、ハードウェアやプロセスの調整機能を装備
  • モジュール構造により、メッキセルやプリトリートメントセル、ポストトリートメントセルを自由に構成でき、パッケージングの様々な場面に適用可能な柔軟性
  • SnAgメッキの原材料費を大幅削減する技術など、コスト重視に最適な低保有コスト(CoO)を実現

Product Offerings

  • SABRE® 3D
  • SABRE® 3D xT

Key Applications

  • シリコン貫通ビア(TSV)埋め込み
  • Cuピラー
  • 再配線層(RDL)の埋め込み
  • アンダーバンプメタル層(Underbump metallization:UBM)
  • 鉛または鉛フリーのC4 バンプ
  • Cu/SnAg及び Ni/Auのマイクロバンプ
  • 高密度ファンアウト実装(High-density fan-out:HDFO)におけるメガピラー、再配線層、 2-in-1ビア、マイクロピラーなど
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