SABRE 3D产品系列

行业挑战

铜及其他金属电镀工艺适用于多种先进硅片级封装应用（如形成导电凸块和重布层）以及硅通孔填充。虽然与后端（BEOL）大马士革铜填充类似，硅片级封装和硅通孔电镀处理的级别要大得多——沉积的薄膜为微米级（10-6 m）而非埃级（10-10 m）。这通常需要较长的沉积时间，处理也涉及多个步骤。相应的挑战包括：在高电镀速率下提高硅片内均匀性和片内共面性，降低持有成本，尽量减少缺陷，使微凸块和焊点可靠、无孔洞。

主要客户利益

• 先进电镀槽技术，更快的电镀速率，不会影响芯片内和硅片内均匀性
• 硬件和工艺旋钮，可提高芯片良率和系统产量
• 基于多个电镀槽和前期/后期处理槽的模块化架构，极其灵活，可满足多种封装应用的需求
• 低拥有成本，适用于成本敏感型环境，所用技术能大幅降低SnAg化学材料成本