SABRE 3D产品系列
Products
电化学沉积 (ECD)
通过沉积铜和其他金属可形成电气连接，用于先进硅片级封装（WLP） 和硅通孔（TSV）结构。这些微型导电构件有助于缩小器件的整体尺寸，生产出更小、更快、更强大的移动电子设备。
SABRE® 3D系列将泛林集团可靠的SABRE Electrofill® 技术与其他创新技术相结合，可提供硅片级封装和硅通孔应用所需的高质量薄膜，且具有高生产效率。
Industry Challenges
铜及其他金属电镀工艺适用于多种先进硅片级封装应用（如形成导电凸块和重布层）以及硅通孔填充。虽然与后端（BEOL）大马士革铜填充类似，硅片级封装和硅通孔电镀处理的级别要大得多——沉积的薄膜为微米级（10-6 m）而非埃级（10-10 m）。这通常需要较长的沉积时间，处理也涉及多个步骤。相应的挑战包括：在高电镀速率下提高硅片内均匀性和片内共面性，降低持有成本，尽量减少缺陷，使微凸块和焊点可靠、无孔洞。
Key Customer Benefits
- 先进电镀槽技术，更快的电镀速率，不会影响芯片内和硅片内均匀性
- 硬件和工艺旋钮，可提高芯片良率和系统产量
- 基于多个电镀槽和前期/后期处理槽的模块化架构，极其灵活，可满足多种封装应用的需求
- 低拥有成本，适用于成本敏感型环境，所用技术能大幅降低SnAg化学材料成本
Product Offerings
- SABRE® 3D
- SABRE® 3D xT
Key Applications
- 硅通孔
- 铜柱
- 重布层（RDL）
- 球下金属化（UBM）
- 有铅或无铅C4凸块
- Cu/SnAg和Ni/Au微型凸块
- 高密度扇出（HDFO）应用（大柱、重布层、二合一通孔、微柱）