泛林正在引领下一代DRAM的发展
个人电脑、笔记本电脑、移动电话及数据中心的持续增长，推动 DRAM 迈入第六代 10 纳米级芯片时代，即 1-gamma 工艺。 为了满足功耗、速度和密度的要求，预计DRAM制造商将继续延展平面工艺蓝图，通过将单元架构从6F²转变为4F²，并在2028年前深入推进至亚10纳米领域。
凭借数十年经过验证的专业知识和技术领导力，泛林正在助力客户将平面DRAM技术推进到亚10纳米节点。
AI 正推动对
高性能 DRAM 的需求
人工智能加速器能够并行执行海量数学运算，但只有在数据同样高速输入的情况下，才能发挥其全部性能。 DRAM 作为工作内存，负责为这些芯片提供数据。
随着 AI 模型规模扩大、输入指令变长，系统对 DRAM 提出以下要求：
- 更高的带宽，以保持加速器高效运行
- 更大的容量，以存储参数和激活值
- 更低的延迟，以实现更快响应
- 更高的能效，以控制功耗和运营成本
因此，现代人工智能工作负载越来越受到内存瓶颈的制约。 满足这些需求，需要由一流工艺技术支持的先进DRAM，才能实现完整的性能释放。
应对日益增长的内存需求
要支持这些快速发展的工作负载，需要更高密度、更复杂的架构以及新的集成方案。 行业正在发生变革——如更紧凑的单元布局以及CMOS与存储器晶圆键合，使金属布线层数增加一倍以上。这些变化对精密图形化、刻蚀以及具备卓越纵深均匀性和轮廓控制能力的无空洞一致性填充提出了更高要求。
DRAM 客户对更严格的技术规范、更高的工艺一致性以及经过验证的性能表现提出了更高要求。 这些正是泛林产品组合重点解决的核心挑战（包括Akara®刻蚀、Aether®干法抗蚀剂、ALTUS® Halo钼填充、Striker® ALD），使我们能够持续推进2D缩放并支持客户3D DRAM转型蓝图。
泛林如何推动持续演进
基于我们在NAND领域的成功经验，并充分认识到DRAM所面临的独特挑战，泛林正在提供实现下一代DRAM所需的关键工艺技术。 我们差异化的产品组合——Akara、Aether、Halo、Striker——在内存制造中实现了精确性、一致性和卓越的集成能力，同时满足最严苛的技术规范。
我们还通过以下方式积极投资 DRAM 未来发展：
- 与 imec、各大学（德克萨斯大学的 TIE、台湾国立交通大学）以及 Resonac 建立战略合作。
- 在材料科学与制程技术领域持续创新，应对未来技术拐点。
- 泛林资本投资于能够完善我们投资组合的新兴企业。
我们的解决方案
泛林的DRAM解决方案应对了图形化、刻蚀和沉积等关键挑战，使客户能够自信地扩展2D DRAM并为3D架构做好准备。
我们针对 DRAM 的战略重点包括：
- （平面 DRAM）采用 EUV 的亚 10 纳米图形化技术 (Aether)
- （平面 DRAM）用于晶体管制备的亚 10 纳米硅刻蚀技术 (Kiyo® → Akara)
- （平面 DRAM）无弯曲间隙填充 (Striker)、低介电常数间隔层 (Striker SPARC)
- (3D DRAM) － 硅/硅锗超高深宽比刻蚀 (Akara)
- (3D DRAM) － 超高深宽比氧化层间隙填充（Striker、Halo）
- (HBM) － TEOS® 3D、SABRE®、Syndion® 刻蚀设备
- 用于形状控制与集成的背面沉积工艺
- 高深宽比结构的制程均匀性控制
Akara®
Akara® 旨在实现具有最大工艺良率的大批量生产，可提高晶圆产量并消除时间浪费，其对任何变化的响应时间均为毫秒级。 行业最先进的刻蚀均匀性控制可提供埃米级关键尺寸下的均匀性和晶圆间可重复性。
STRIKER产品系列
使用先进的ALD技术，这些产品提供纳米级尺寸下器件关键工艺所需的介电薄膜。