低溫蝕刻

當今的資料密集型 AI 應用需要在記憶體技術上取得重大進展，尤其是在 NAND 快閃記憶體方面，包括更快的資料傳輸速度。算力需求的激增導致記憶體系統內資料傳輸的功耗增加。晶片製造商需要從 200 層 3D NAND 擴展至更多層，以滿足每位元成本降低的要求，同時減少對環境的影響。

低溫蝕刻技術可運用新穎的化學品來達成更高深寬比的蝕刻能力。低溫技術可提高蝕刻速率、提供垂直高深寬比輪廓，以及減少蝕刻製程對環境的影響。

透過專利創新技術，科林研發已逐漸完善通道孔洞蝕刻技術：

低溫高深寬比蝕刻： 均勻的深度蝕刻可實現每單元更多位元
字元線間距的微縮： VECTOR® PECVD（高生產率氧化物間隙填充）和 ALTUS® W（低應力 HAR 鎢填充）製造更薄的氧化物／氮化物沉積層，可實現每個元件更高的位元
先進字元線的金屬化： 更低電阻的金屬可實現更薄的連接和更快的元件。 VECTOR® Strata®（低應力且均勻的 Ox／SiN 層控制）、Kiyo®、Halo（高深寬特徵的無間隙鉬填充）
晶圓應力管理： 晶背沉積可控制晶圓曲度，實現更高的元件。 Coronus® DX（高選擇性晶邊薄膜沉積）、VECTOR® DT（用於晶圓曲度補償的均勻性晶背沉積）和 EOS®（高生產率晶背薄膜蝕刻）

憑藉這些技術，科林研發已使我們的客戶能夠實現近乎完美的記憶體孔洞蝕刻輪廓，同時具有高生產量和低環境衝擊。