- ウェハ面内均一性、ウェハ間均一性、生産性、リートメント後の膜特性において業界最高の性能
- ラムリサーチ独自の処理プロセス(UV照射、ガスや蒸気、加熱)によって成膜後の物理的特性を改善
- 機能によりウェハ毎に温度、波長、照射強度を個別に制御でき、プロセスの柔軟性を確保
- SOLA® Excel
- 膜トリートメント
- 歪み窒化膜トリートメント
Industry Challenges
最先端の半導体製造技術ではデバイス性能を得るために新しい誘電体材料を導入していますが、膜を万全な状態に保つのに新規な技術が必要になっています。低誘電率 (k) 材料による絶縁膜は微細化を進める上で欠かせないものです。一方、こうした材料は誘電率を下げるため炭素含有率が高い上に多孔質になっており、膜が脆弱でダメージを受けやすくなっています。更にエッチング、アッシング/ストリップ、ウェットクリーンなどの工程で炭素の減少や水分の吸着が生じると実効的な誘電率が上昇してしまいます。この問題の解決には革新的な紫外線照射熱処理(ultraviolet thermal processing:UVTP)技術が必要になります。これによって膜の機械的強度を高め、ポア形成前駆体(porogens)を除去できるのです。UVTP は前工程( front-end-of-the-line:FEOL)でデバイス性能向上につながる、窒化層の歪みを大きくする応用もできます。