行业挑战
随着器件三维复杂性的不断提高，传统的光学计量技术常常无法严密控制刻蚀、沉积和清洗工艺。例如，自上而下的光学信号可能无法触及高深宽比 (HAR) 结构的底部。类似地，某些厚膜的透明度通常很差，无法精确测量其厚度； 而侧向工艺步骤发生在结构的很深入部分，以至于不可视。许多几何尺寸已经变得非常复杂，光学临界尺寸 (OCD) 模型的拟合需要投入大量资源，开发和验证周期也很长。另外，要满足刻蚀应用的严苛要求，往往需要能实时发现导致同批差异和批次间差异的根源。因此，芯片制造商需要另一种监控工艺结果的方法，以经济高效的方式解决光学技术的局限性。
主要客户利益
- 低持有成本，高产率在线工艺监控
- 测量简单，物理意义明显 (硅片质量和质量变化)
- 具有亚纳米级薄膜检测功能，灵敏度高
- 随着器件复杂性和深宽比的增加，灵敏度进一步提升
- 在光学计量无效时，为3D/隐藏式结构提供工艺控制能力
- 采用独立系统配置，为多种应用和可变采样策略带来最大的灵活性
- 采用平台集成配置，可实时控制每块硅片并降低采样成本
产品
- Metryx® Metior® SRM™
- Metryx® SRMi™
主要应用
- 高深宽比刻蚀——DRAM单元、3D NAND通道孔
- 保角和原子层沉积/侧壁沉积
- 水平工艺——凹陷刻蚀、填充
- 膜密度监控
- 碳掩膜开口
- 硅片清洗/聚合物移除