개별 소자는 다이오드나 트랜지스터 같은 단일 반도체입니다. 전력 트랜지스터는 중요한 개별 소자 종류로서, 전압을 조절하고, 전력 소비량 절감에 기여하며, 열 발생을 줄이는 용도에 광범위하게 사용됩니다. 예를 들어, 휴대용 전가기기의 배터리 수명을 늘리는 목적의 회로에서는 필수 구성요소입니다. 새롭게 등장하고 있는 와이드 밴드갭 전력 소자(예: GaN 및 SiC)는 상위 주파수의 저전력과 고전력 부문에서 모두 사용되며, 송전망, 에너지, 교통, 자동차 부문의 고전력 부문은 물론 소비가전도 다루고 있습니다. 실리콘 또는 와이드 밴드갭 재료에 기반하는 주요 전력 소자로는 전력 다이오드, 사이리스터, MOSFET(전원 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터), IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터)가 있습니다. 이런 유형의 소자는 신뢰성, 생산성, 비용 효과가 뛰어난 장비를 이용해 저비용으로 제조해야 합니다.
램리서치 솔루션
개별 소자 및 전력 소자
DSIE 제품군
심부 반응성 이온 식각(DRIE)
여러 딥 실리콘 식각 주요 및 비주요 공정에서 높은 생산성으로 공정을 완벽하게 제어합니다.