エッチング工程は、デポジション工程で形成した誘電体(絶縁膜)と金属(導電膜)を選択的に削り取って加工するプロセスです。このプロセスでは、加工対象となる材料が多くあるほか、その形状は微細化と複雑化を増す一方です。最も基本的な技法である反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching:RIE)はイオン(荷電粒子)をウェハ表面に叩き付けることで不要部分を削り取る技術です。加工形状が更に微細になると、原子層エッチング(ALE)が登場します。これは対象素材を原子数個分の厚さで少しずつ、繰り返し削って行くものです。メタルエッチングはトランジスタなどの電子素子の形を正確に加工するものですが、その一方で誘電膜エッチングは導体部分を保護する絶縁体を形成します。エッチングは、チップ間を接続するTSVやMEMSなどで使用される長い柱のような構造を加工するのにも利用されます。
ラムリサーチのプラズマ・エッチング装置は、深く狭い・短く広いなど、わずか数nmの加工形状を正確に仕上げる高性能、高生産性を提供しています。
当社の製品
The artificial intelligence era depends on the storage infrastructure needed to run advanced technology, such as generative AI. The performance requirements for these AI innovations are pushing NAND devices to quickly scale to 400 vertically stacked layers and beyond. For readers who are new to semiconductors, that’s a big deal. Imagine a skyscraper with an unfathomable 400 floors, where each floor represents a layer of memory in a NAND device. Now, imagine adding 600 more floors to that building...only in semiconductors, this super tall structure is still invisible to the naked eye. Today, these devices range in height from a few micrometers (µm) to tens of micrometers.
The rise of artificial intelligence (AI) has placed significant demands on semiconductor performance, particularly in the realm of etching technology. AI requires massive amounts of data for training, necessitating high levels of parallel processing, non-volatile memory, and fast data transfer rates. To achieve these capabilities advanced devices are designed in three dimensions, leading to the need for novel etching techniques. Perpendicular etching, which involves removing materials in multiple directions, is essential for crafting gate-all-around (GAA) transistor architectures and precise modification of atomic layers. Aspect-ratio-dependent etching is crucial for the transition from 2D to 3D NAND architecture, enabling the efficient storage capacity increase by etching through numerous layers.