電子データを保存する半導体部品であるメモリ・セルには、短期の揮発性(DRAMなど)と長期の不揮発性(フラッシュなど)のストレージ・タイプがあります。 DRAMは「作業」メモリ(アクティブメモリ)の代表です。フラッシュメモリは大容量のデータをコンパクトに保存するために使用されます。
デバイス密度を高めてストレージ容量を増やすために、DRAM機能は縮小を続け、NANDフラッシュは3Dアーキテクチャに移行しているが、さらなる処理上の課題が生じています。 例えば、3D NANDの多数の層はストレスに弱く、高アスペクト比のチャネルに欠陥があると、電気的なショートや干渉が発生する可能性があります。 アクティブ・クラスとストレージ・クラスのギャップを埋める新しいタイプのメモリーの生産も、新しい、加工が難しい材料を使用するため困難となっています。 その結果、卓越した工程管理、柔軟性、生産性が求められます。
技術革新をリードすることで、Lamは自社のメモリ・ソリューションが進化するテクノロジーの要求に確実に応えられるようにしています。 AI、VR、AR、電気自動車の需要の急増に対応するため、我々が革新を進めている分野の1つに、高帯域幅メモリー(HBM)技術があります。 HBMは、3Dスタッキングと最先端のパッケージングにより、高性能コンピューティングの未来を具現化し、比類ない性能と効率を約束します。
ハイブリッドボンディングのオンウェハ性能や歩留まり管理など、高度なメモリ製造の複雑な課題に直面する中、マイクロバンプやシリコン貫通電極(TSV)に関する当社の専門知識により、卓越したプロセス制御と生産性を提供することができます。
Lamのソリューション
“The Road to the AI Era Is Paved in Semiconductor Manufacturing Innovation," an in-depth white paper written by The TechArena and sponsored by Lam Research, explores the pivotal role of chipmaking innovation in ushering in the next transformative technological age. The paper provides authoritative insights into the revolutionary effects of generative AI and large language models across various industries, the emerging challenges in delivering performance to meet these advanced requirements, and the critical importance of high bandwidth memory (HBM) in AI compute platforms.
There is a lot of buzz around high bandwidth memory (HBM). As artificial intelligence (AI) continues to advance so do its demands. Many major technology companies are betting on HBM to meet them. HBM is an advanced computer memory designed to offer faster data access with lower energy consumption. For AI, it can be a critical component in performance and reducing power consumption in memory chips.