Transistoren – das „Hirn“ eines jeden Chips – sind winzige Schalter die den Elektrizitätsfluss steuern, und tatsächlich kann es Milliarden davon auf einem einzigen integrierten Schaltkreis geben. Die zunehmende Nachfrage nach kleineren, leistungsfähigeren Elektronikkomponenten treibt die Entwicklung neuer Transistor-Designs wie 3D FinFET und die Verwendung spezieller Materialen wie high-k/metal Gates. Diese Entwicklung ermöglicht wiederum die fortschreitende Miniaturisierung der Strukturbreiten. Neueste Transistoren mit Strukturbreiten im Bereich der Atomgröße stellen Fertigungslinien allerdings vor extreme Herausforderungen. Um die notwendige hohe Leistungsfähigkeit der Bauteile zu garantieren, bedarf es außerordentlicher Genauigkeit und Fertigungskontrolle beim Aufbau der winzigen Strukturen.
Unsere Lösungen
Der Schwerpunkt der Coronus-Systeme liegt auf der Schrägkante und damit auf der Verbesserung der Ausbeute insgesamt. Die Halbleiterverarbeitung kann das Anhäufen von Rückständen sowie die Entstehung rauer Oberflächen entlang dem Waferrand bewirken, von dem aus die Rückstände abblättern, in andere Bereiche abdriften und Defekte verursachen können, die einen Geräteausfall zur Folge haben. Coronus-Ätzprodukte entfernen diese Rückstände auf den Rändern und Coronus Deposition schützt den Waferrand vor Beschädigungen.
Unsere Reliant-Abscheidungsprodukte unterstützen Roadmaps für Spezialtechnologien und verlängern die produktive Lebensdauer von Fabs.
Computing power has experienced exponential growth over the last 70 years. This has largely been achieved through transistor scaling. Due to a continuous reduction in the size of transistors, engineers have been able to pack more and more of them onto a single chip[1]. This has led to faster, more powerful, and more energy-efficient devices. Improvements in fabrication processes and materials, along with better circuit design techniques, have enabled this scaling. As transistors have become smaller and more densely packed, we have started to reach limitations caused by the laws of physics.
As transistor sizes shrink, short channel effects make it more difficult for transistor gates to turn a transistor ON and OFF [1]. One method to overcome this problem is to move away from planar transistor architectures toward 3D devices. Gate-all-around (GAA) architectures are an example of this type of 3D device [2]. In a GAA transistor, the gate oxide surrounds the channel in all directions. A key process during the fabrication of GAA transistors involves the channel release step.